KH25L6406E

KH25L6406E

64M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

上将

•单电源操作

-2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作

•兼容串行外围接口——模式0和模式3

•67108864 x 1位结构或33554432 x 2位（双输出模式）结构

•2048个相等的扇区，每个扇区4K字节

-任何扇区都可以单独擦除

•128个相等的块，每个块64K字节

-任何块都可以单独擦除

•项目能力

-字节基数

-页面基数（256字节）

•从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

性能

•高性能

-快速访问时间：86MHz串行时钟

-双输出模式串行时钟：80MHz

-快速编程时间：0.6ms（典型值）和3ms（最大值）/页

-字节编程时间：9us（典型值）

-快速擦除时间：40ms（典型值）/扇区；0.4秒（典型值）/块

•低功耗

-低有效读取电流：86MHz时最大25mA

-低有效编程电流：15mA（典型值）

-低有源扇区擦除电流：9mA（典型值）

-低待机电流：12uA（典型值）

-深度断电模式2uA（典型值）

•典型的100000次擦除/编程周期

•20年的数据保留

软件功能

•输入数据格式

-1字节命令代码

•高级安全功能

-闭锁保护

BP3~BP0状态位定义了软件保护免受编程和擦除指令影响的区域大小

-额外的512位安全OTP用于唯一标识符

•自动擦除和自动编程算法

-自动擦除和验证所选扇区的数据

-通过内部算法自动对所选页面的数据进行编程和验证，该算法会自动计时

编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应该首先使页面处于擦除状态）

•状态寄存器功能

•电子身份识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID

-1字节设备ID的RES命令

-用于1字节制造商ID和1字节设备ID的REMS命令

•支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件功能

•包装

-16针SOP（300mil）

-8针SOP（200mil）

-所有封装设备均符合RoHS标准，不含卤素

一般说明

该设备具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线总线上运行。 

三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。串行访问

通过CS#输入启用设备。

当处于双输出读取模式时，SI和SO引脚变为SIO0和SIO1引脚，用于数据输出。

该器件在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，对指定的页面或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。程序命令以字节或页为基础执行，或

擦除命令的字基是在扇区、块或整个芯片的基础上执行的。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以发出命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分

更多细节。

当设备未运行且CS#为高时，它将进入待机模式。

该设备利用Macronix的专有存储单元，即使在典型的

100000次编程和擦除周期

设备操作

1.在发出命令之前，应检查状态寄存器，以确保设备已准备好进行预期操作。

2.当向该设备输入错误的命令时，它将进入待机模式并保持待机状态，直到

下一个CS#下降沿。在待机模式下，该LSI的SO引脚应为高Z。CS#下降时间需要遵循低tCHCL规范。

3.当向该设备输入正确的命令时，它将进入活动模式并保持活动模式，直到下一次

CS#上升沿。CS#上升时间需要遵循tCLCH规范。

4.输入数据在串行时钟（SCLK）的上升沿被锁存，在串行时钟的下降沿被移出

SCLK。串行模式0和模式3的区别如图1所示。

5.有关以下说明：RDID、RDSR、RDSCUR、READ、FAST_READ、RDSFDP、DREAD、RES和

REMS输入指令序列之后是数据输出序列。在任何数据位被移动后

CS#可能很高。对于以下说明：WREN、WRDI、WRSR、SE、BE、CE、PP、RDP、DP，

ENSO、EXSO和WRSCUR，CS#必须恰好在字节边界处变高；否则，指令将

被拒绝，不得执行。

6.当写状态寄存器、编程或擦除操作正在进行时，对存储器阵列的访问将被限制，不会影响写状态寄存器的当前操作。

数据保护

在电源转换过程中，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或

编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器

设备的架构限制了内存内容只能在特定命令后更改

序列已成功完成。 

在下文中，有几个功能可以保护系统在VCC加电和断电期间免受意外写入周期或系统噪声的影响。

•有效命令长度检查：将检查命令长度是否以字节为基础并完成

在字节边界上。

•写入启用（WREN）命令：在之前需要WREN命令来设置写入启用锁存位（WEL）

其他更改数据的命令。在以下情况下，WEL位将返回重置阶段：

-加电

-写入禁用（WRDI）命令完成

-写入状态寄存器（WRSR）命令完成

-页面程序（PP）命令完成

-扇区擦除（SE）命令完成

-块擦除（BE）命令完成

-芯片擦除（CE）命令完成

•深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备也会受到保护

写入除深度断电模式释放命令（RDP）和读取电子信号性质命令（RES）之外的所有命令。

•高级安全功能：有一些保护和安全功能可以保护内容免受无意写入和恶意访问。

I.闭锁保护

-软件保护模式（SPM）：

KH25L6406E：使用（BP3、BP2、BP1、BP0）位允许将部分内存保护为只读。项目区域定义如“保护区大小”表所示，保护区更灵活，可以

通过设置BP0-BP3比特的值来保护各种区域。

请参阅“保护区大小”表。

-硬件保护模式（HPM）使用WP#保护KH25L6406E:BP3-BP0位和SRWD位