MX25R3235F-J/K Grade ULTRA LOW POWER,32M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTII/O) FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX25R6435FM2JH0 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍:
概述
支持串行外设接口 —— 模式 0 与模式 3
存储结构:
33,554,432 × 1 位(单线 I/O 模式)
或 16,777,216 × 2 位(双线 I/O 模式)
或 8,388,608 × 4 位(四线 I/O 模式)
均等扇区:每扇区 4KB;均等块:每块 32KB 或 64KB
任意块可独立擦除
单电源供电
工作电压:1.65V–3.6V,适用于读取、擦除及编程操作
抗闩锁保护:在 -1V 至 Vcc+1V 范围内可耐受 100mA 电流
性能
高性能
高速读取(-40°C 至 85°C):
单线 I/O:80MHz,带 8 个空指令周期
双线 I/O:80MHz,带 4 个空指令周期,等效速率 160MHz
四线 I/O:80MHz,带 2+4 个空指令周期,等效速率 320MHz
快速编程与擦除速度
支持 8/16/32/64 字节环绕式突发读取模式
支持性能增强模式 ——XIP(片内执行)
超低功耗
擦除 / 编程寿命:最少 100,000 次
数据保存时间:20 年
软件特性
输入数据格式:1 字节指令码
高级安全特性:块锁定保护
通过 BP0–BP3 状态位设定受保护区域大小,对编程、擦除指令实现软件保护
额外 8Kbit 安全 OTP 区域
具备唯一识别码
出厂锁定可识别,支持客户自行锁定
自动擦除与自动编程算法
自动对指定扇区或块执行数据擦除与校验
通过内部算法自动对选定页进行数据编程与校验,并自动控制编程脉冲宽度(待编程的页面必须预先处于擦除状态)。
状态寄存器功能指令复位功能编程 / 擦除挂起与编程 / 擦除恢复功能
电子识别功能
JEDEC 标准:1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID
RES 指令:读取 1 字节器件 ID
REMS 指令:读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID
支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式支持唯一 ID(详情请联系旺宏当地销售)
硬件特性
SCLK 输入
串行时钟输入
SI/SIO0
串行数据输入;或在双线 I/O、四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
SO/SIO1
串行数据输出;或在双线 I/O、四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
WP#/SIO2
硬件写保护;或在四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
RESET#/SIO3 或 HOLD#/SIO3**
硬件复位引脚;或在四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
或保持功能:在不取消片选的情况下暂停器件工作,或作为四线 I/O 读取模式的串行输入 / 输出
* 注:功能取决于具体型号配置
封装形式(PACKAGE)
M2: 8-SOP(200mil)
所有器件均符合 RoHS 标准(RoHs Compliant)且不含卤素(Halogen-free)
MX25R6435FM2JH0 芯片介绍:
MX25R3235F 是一款 32Mb 容量的串行 NOR 闪存,内部组织结构为 4,194,304×8 位。在四线 I/O 模式下,其存储结构可转换为 8,388,608×4 位;在双线 I/O 模式下则为 16,777,216×2 位。MX25R3235F 采用串行外设接口及软件协议,在单线 I/O 模式下可通过简易三线总线实现工作。三路总线信号分别为:时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)以及串行数据输出(SO)。通过片选信号 CS# 可使能对该器件的串行访问。
在双线 I/O 读取模式下,SI 引脚与 SO 引脚分别转换为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 空周期输入及数据输出。在四线 I/O 读取模式下,SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚以及 RESET#/HOLD# 引脚分别转换为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 引脚,用于地址 / 空周期输入及数据输出。
MX25R3235F 的 MXSMIO™(串行多 I/O)功能支持对整个芯片进行连续读取操作。
在发出编程 / 擦除指令后,芯片将自动执行编程 / 擦除算法,对指定的页、扇区或块执行编程、擦除并校验操作。编程操作可按字节、页(256 字节)或字为单位执行;擦除操作可按扇区(4KB)、32KB 块、64KB 块或整片芯片为单位执行。
为方便用户使用接口,芯片内置状态寄存器以指示芯片工作状态。可通过发送状态读取指令,利用 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。
高级安全特性可增强芯片的保护与安全功能,更多详情请参阅安全特性章节。
MX25R3235F 采用旺宏专利存储单元,在经历 100,000 次编程擦除周期后,仍可可靠保存存储内容。



