MX25R4035FZUIH0

MX25R4035F ULTRA LOW POWER, 4M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MX25R4035FZUIH0 Wide Range VCC Serial NOR Flash是一款 4Mb 的串行 NOR 闪存，特点：

特性

超低功耗 4 兆位 [x1/x2/x4] 互补金属氧化物半导体 串行多接口闪存

概述

支持串行外设接口 —— 模式 0 与模式 3

存储架构可选：4,194,304×1 位、2,097,152×2 位（双接口模式）或 1,048,576×4 位（四接口模式）

扇区 / 块配置灵活：可选 4KB 均等扇区，或 32KB/64KB 均等块，支持任意块独立擦除

单电源供电，读写 / 擦除 / 编程电压范围：1.65V - 3.6V

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至电源电压 + 1V 范围内可承受 100mA 电流冲击

性能参数

高性能表现

高速读取：单接口模式 108MHz（8 个空周期）；双接口模式 104MHz（4 个空周期，等效 208MHz）；四接口模式 104MHz（2+4 个空周期，等效 416MHz）

编程与擦除速度快，支持 8/16/32/64 字节循环突发读取模式

超低功耗设计

擦除 / 编程耐久性：最少 10 万次循环

数据保留期：20 年

软件特性

输入数据格式：1 字节命令码

高级安全防护

块锁定保护：通过 BP0 - BP3 状态位定义软件保护区域范围，防止非法编程与擦除操作

额外 8K 位加密一次性可编程存储区：内置唯一标识符，出厂预设锁定（可识别），用户可二次锁定

自动擦除与自动编程算法：通过内部算法自动控制编程脉冲宽度，实现选定扇区 / 块的自动擦除与数据校验，以及选定页的自动编程与数据校验（编程前需确保目标页处于擦除状态）

状态寄存器功能

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复功能

电子识别功能

遵循 JEDEC 标准，支持 1 字节厂商识别码 + 2 字节器件识别码

支持 RES 命令读取 1 字节器件识别码

支持 REMS 命令读取 1 字节厂商识别码 + 1 字节器件识别码

支持串行闪存可发现参数模式

支持唯一标识符

硬件特性

串行时钟输入（SCLK Input）

串行时钟输入引脚

串行数据输入 / 双向接口 0（SI/SIO0）

串行数据输入引脚；在 2 线 I/O 读取模式和 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

串行数据输出 / 双向接口 1（SO/SIO1）

串行数据输出引脚；在 2 线 I/O 读取模式和 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

写保护 / 双向接口 2（WP#/SIO2）

硬件写保护引脚；在 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

*复位 / 双向接口 3（RESET#/SIO3） 或 保持 / 双向接口 3（HOLD#/SIO3）***

硬件复位引脚，或在 4 线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚；

或为保持功能引脚（无需取消器件选中状态即可暂停器件工作），或在 4 线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚

封装形式：

M1: 8-SOP(150mil)

M2: 8-SOP(200mil)

ZU: 8-USON (2x3mm)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

BD:3-2-3 8-WLCSP

MX25R4035FZUIH0芯片说明：

MX25R4035F 是一款 4兆位串行 NOR 闪存，内部存储架构配置为 524,288×8 位。工作于四 I/O 模式时，存储架构可切换为 1,048,576×4 位或 2,097,152×2 位。

该芯片支持串行外设接口及配套软件协议，工作于单 I/O 模式时，仅需简单的三线总线即可实现操作，三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入引脚（CS#）可使能对芯片的串行访问功能。

工作于双 I/O 读取模式时，原 SI 引脚和 SO 引脚将切换为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，分别用于地址 / 空周期位输入和数据输出；工作于四 I/O 读取模式时，原 SI 引脚、SO 引脚、写保护引脚（WP#）以及复位 / 保持引脚（RESET#/HOLD#）将对应切换为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，共同承担地址 / 空周期位输入与数据输出任务。

MX25R4035F 搭载旺宏专利的串行多接口（MXSMIO®）技术，支持对整片芯片执行连续读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，芯片将自动执行编程 / 擦除算法，对指定页或扇区 / 块进行编程 / 擦除操作，并完成数据校验。编程命令支持按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除命令支持按 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整片芯片执行。

为简化用户接口设计，芯片内置状态寄存器用于反馈芯片工作状态。用户可发送状态读取命令，通过忙状态位（WIP）判断编程或擦除操作是否完成。

该芯片配备增强型高级安全防护功能，具体详情请参见安全特性章节。

MX25R4035F 采用旺宏专属存储单元技术，即便经过 10 万次编程 / 擦除循环，仍可稳定保存存储内容。