HTSEMI(金誉半导体)PTD150N07 150V/7A N沟道高级功率MOSFET管功率器件
特性：
提升 dv/dt 能力，高稳健性
最高结温范围（150°C）
100% 雪崩测试
应用领域：
功率开关应用
硬开关及高频电路
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：100V
漏极电流(Id)：15A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：240mΩ
封装：TO-252
卷装(Reel)：2500只
整箱(Carton)：50000只
卷盘尺寸：13 英寸
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 150 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | °C |
| TSTG | 储存温度范围 | -55～150 | °C |
| IS | 二极管连续正向电流（TC=25°C，安装在大型散热器上） | 7 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 9 | mJ |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限测试，注 2），TC=25°C | 28 | A |
| ID | 连续漏极电流，TC=25°C | 7 | A |
| PD | 最大耗散功率，TC=25°C | 35 | W |
| RθJC | 结到壳热阻（注 3） | 3.57 | °C/W |
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