HTSEMI(金誉半导体) PTN25C03 N+P沟道高级功率MOSFET功率器件
特性：
提升 dv/dt 耐受能力，高坚固性
最高结温 150°C
应用领域：
直流风扇
无刷电机
针对便携式产品的电源管理应用优化，如H桥、逆变器
车载充电器及其他应用
参数：
N沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：30V
漏极电流(Id)：25A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：8.6mΩ
栅源电压 4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=4.5V：15mΩ
P沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：-30V
漏极电流(Id)：-25A
栅源电压 -10V 时的导通电阻RDSON@VGS=-10V：17mΩ
栅源电压 -4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=-4.5V：24mΩ
封装：PDFN5X6-8L
卷装(Reel)：5000只
整箱(Carton)：50000只
卷盘尺寸：13 英寸
| 符号 | 参数 | N 沟道 | P 沟道 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | 150 | °C |
| TSTG | 储存温度范围 | -55～150 | -55～150 | °C |
| IS | 二极管连续正向电流 TA=25°C | 25 | -25 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限）TA=25°C | 75 | -75 | A |
| ID | 连续漏极电流 TA=25°C | 25 | -25 | A |
| PD | 最大耗散功率 TA=25°C | 35 | 35 | W |
| RθJA | 结到环境热阻 | 3.57 | 3.57 | °C/W |
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