HTSEMI(金誉半导体) PTS4624 20V 6A N+P沟道高级功率MOSFET功率器件
特性：
增强型 dv/dt 能力，高坚固性
最高结温范围（150°C）
应用领域：
PWM（脉冲宽度调制）应用
负载开关
电源管理
N沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：20V
漏极电流(Id)：6A
栅源电压 4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=4.5V：12mΩ
栅源电压 2.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=2.5V：14mΩ
P沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：-20V
漏极电流(Id)：-5A
栅源电压 -4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=-4.5V：29mΩ
栅源电压 -2.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=-2.5V：34mΩ
封装：SOP-8
卷装(Reel)：3000只
整箱(Carton)：48000只
卷盘尺寸：13 英寸
| 符号 | 参数 | N 沟道 | P 沟道 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 20 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±12 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | 150 | °C |
| TSTG | 储存温度范围 | -55～150 | -55～150 | °C |
| IS | 二极管连续正向电流 TA=25°C | 6 | -5 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限）TA=25°C | 24 | -20 | A |
| ID | 连续漏极电流 TA=25°C | 6 | -5 | A |
| PD | 最大耗散功率 TA=25°C | 2 | 2 | W |
| RθJA | 结到环境热阻 | 62.5 | 62.5 | °C/W |
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