HTSEMI(金誉半导体)PTD15N10 100V/15A N沟道高级功率MOSFET管功率器件
特性：
采用高压器件新技术
低导通电阻，导通损耗小
封装小巧
栅极电荷极低，降低驱动要求
100% 雪崩测试
应用领域：
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：100V
漏极电流(Id)：15A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：65mΩ
栅源电压 4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=4.5V：85mΩ
封装：TO-252
卷装(Reel)：2500只
整箱(Carton)：50000只
卷盘尺寸：13 英寸
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| 通用额定条件（除特别注明外，TC=25∘C） | |||
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| IS | 体二极管连续正向电流 | 15 | A |
| （安装在大型散热器上） | |||
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 9 | mJ |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限测试，注 2） | 40 | A |
| ID | 连续漏极电流 | 15 | A |
| PD | 最大耗散功率 | 30 | W |
| RθJC | 结到壳热阻（注 3） | 4.17 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境热阻（注 3） | 60 | ℃/W |
现货库存
现货SKU
不断扩充中
闪电发货
港台大仓储
24小时发货
正规渠道
正品有保障
产品可溯源
降本增效
价格实惠多多
一站式代理商、方案商
关注公众号
Copyright © 2026 深圳市微效电子有限公司 All Rights Reserved 专注于IC芯片代理、MCU芯片代理,主要产品：SPI NOR FLASH、NAND FLASH、SD NAND FLASH、 mcu单片机、温度传感器芯片等存储芯片，粤ICP备2025381541号-1网站地图sitemap.xml
