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HTSEMI(金誉半导体) PGT10N015H -100V/420A N-Channel Power MOSFET
特性：
极低栅电荷，降低驱动电路设计要求
100% 经过雪崩耐受测试
应用领域：
适用于 AC/DC 快充的同步整流方案
电池管理系统
不间断电源（UPS）
参数：
P沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：100V
漏极电流(Id)：420A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：1.2mΩ
丝印 / 标识：SP1216542YMW
封装：TOLL
卷装(Reel)：1500只
整箱(Carton)：120000只
卷盘尺寸：7 英寸
屏蔽栅型/SGT
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| 通用额定值（除非另有说明，Tc=25℃） | |||
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 175 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 至 175 | ℃ |
| IS | 二极管连续正向电流（Tc=25℃） | 420 | A |
| 安装于大型散热片上 | |||
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 2450 | mJ |
| IDM | 测试脉冲漏极电流（注 2，Tc=25℃） | 1680 | A |
| ID | 连续漏极电流（硅片极限，Tc=25℃） | 433 | A |
| ID | 连续漏极电流（封装极限，Tc=25℃） | 420 | A |
| PD | 最大耗散功率（Tc=25℃） | 536 | W |
| RθJC | 结到壳的热阻 | 0.28 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻（注 3） | 45 | ℃/W |
| 一、静态电气特性 | ||||||
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V，ID=250μA | 100 | — | — | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=100V，VGS=0V | — | — | 1 | μA |
| IGSS | 栅体漏电流 | VGS=±20V，VDS=0V | — | — | ±100 | nA |
| VGS(TH) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS，ID=250μA | 2 | — | 4 | V |
| RDS(ON) | 漏源导通电阻（注 4） | VGS=10V，ID=50A | — | 1.2 | 1.45 | mΩ |
| 二、动态电气特性（注 5） | ||||||
| 表格 | ||||||
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| Ciss | 输入电容 | VDS=50V，VGS=0V，f=100kHz | — | 9780 | — | pF |
| Coss | 输出电容 | 同上 | — | 3510 | — | pF |
| Crss | 反向传输电容 | 同上 | — | 52 | — | pF |
| Qg | 总栅电荷 | VDS=50V，ID=100A，VGS=10V | — | 152 | — | nC |
| Qgs | 栅源电荷 | 同上 | — | 55 | — | nC |
| Qgd | 栅漏电荷 | 同上 | — | 47 | — | nC |
| RG | 栅极内阻 | f=1MHz | — | 1 | — | Ω |
| 三、开关特性（注 5） | ||||||
| 表格 | ||||||
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| td(on) | 开通延迟时间 | VDD=50V，RG=10Ω，ID=100A，VGS=10V | — | 88 | — | ns |
| tr | 开通上升时间 | 同上 | — | 226 | — | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 同上 | — | 88 | — | ns |
| tf | 关断下降时间 | 同上 | — | 76 | — | ns |
| 四、源漏二极管特性 | ||||||
| 表格 | ||||||
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| VSD | 正向导通压降 | ISD=50A，VGS=0V | — | — | 1.2 | V |
| trr | 反向恢复时间 | IS=100A，di/dt=100A/μs | — | 160 | — | ns |
| Qrr | 反向恢复电荷 | 同上 | — | 768 | — | nC |
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