HTSEMI(金誉半导体) PTN05C06 N+P沟道高级功率MOSFET功率器件
特性：
低导通电阻 RDS (on) @VGS=5V
5V 逻辑电平控制
N+P 双通道 PDFN5×6-8L 封装
无铅，符合 RoHS 标准
应用领域：
直流风扇
无刷电机
适用于便携式产品电源管理应用，如 H 桥、逆变器、车载充电器及其他场景
参数：
N沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：60V
漏极电流(Id)：6A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：29mΩ
栅源电压 4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=4.5V：32mΩ
P沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：-60V
漏极电流(Id)：-5A
栅源电压 -10V 时的导通电阻RDSON@VGS=-10V：68mΩ
栅源电压 -5V 时的导通电阻RDSON@VGS=-5V：81mΩ
封装：PDFN5X6-8L
卷装(Reel)：5000只
整箱(Carton)：80000只
卷盘尺寸：13 英寸
| 符号 | 参数 | N 沟道 | P 沟道 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 60 | -60 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | 150 | °C |
| TSTG | 储存温度范围 | -55～150 | -55～150 | °C |
| IS | 二极管连续正向电流 TA=25°C | 6 | -5 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限）TA=25°C | 24 | -20 | A |
| ID | 连续漏极电流 TA=25°C | 6 | -6 | A |
| PD | 最大耗散功率 TA=25°C | 2 | 2 | W |
| RθJA | 结到环境热阻 | 6.25 | 6.25 | °C/W |
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