HTSEMI(金誉半导体) PTM12P16 -15V/-16A P-Channel Advanced Power MOSFET
特性：
dv/dt 能力提升，高坚固性
最高结温范围（150°C）
应用领域：
电池保护
负载开关
电源管理
参数：
P沟道：
漏源击穿电压(Vdss)：-15V
漏极电流(Id)：-16A
栅源电压 -4.2V 时的导通电阻RDSON@VGS=-4.2V：10mΩ
栅源电压 -2.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=-2.5V：14mΩ
丝印 / 标识：SP1216542YMW
封装：DFN2X2-6L
卷装(Reel)：3000只
整箱(Carton)：120000只
卷盘尺寸：7 英寸
| 符号 | 参数名称 | 额定值 | 单位 | 备注 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | -15 | V | |
| VGS | 栅源电压 | ±12 | V | |
| TJ | 最高结温 | 150 | ℃ | |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ | |
| IS | 二极管连续正向电流 | -16 | A | TA=25℃，安装在大型散热器上 |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限，测试值） | -32 | A | TA=25℃，注 1 |
| ID | 连续漏极电流 | -16 | A | TA=25℃ |
| PD | 最大耗散功率 | 2.8 | W | TA=25℃ |
| RθJA | 结 - 环境热阻 | 44.6 | ℃/W | 注 2 |
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