HTSEMI(金誉半导体)PTF10HN10 100V/15A N沟道高级功率MOSFET管功率器件
特性：
可提供无铅环保器件
低导通电阻，最大限度降低导通损耗
高雪崩电流
100% 雪崩测试
应用领域：
电源
DC-DC 转换器
电池管理系统
不间断电源（UPS）
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：100V
漏极电流(Id)：100A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：7.1mΩ
封装：TO-220
卷装(Reel)：50只
整箱(Carton)：5000只
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| 通用额定条件（除特别注明外，TC=25∘C） | |||
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| IS | 体二极管连续正向电流 | 97 | A |
| （安装在大型散热器上） | |||
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 313 | mJ |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限测试，注 2） | 400 | A |
| ID | 连续漏极电流 | 100 | A |
| PD | 最大耗散功率 | 200 | W |
| RθJC | 结到壳热阻（注 3） | 0.63 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境热阻（注 3） | 62.5 | ℃/W |
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