HTSEMI(金誉半导体)PTL03N10 100V 2.6A N沟道高级功率MOSFET管功率器件
特性：
高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域：
功率开关应用
硬开关及高频电路
不间断电源（UPS）
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：80V
漏极电流(Id)：90A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：115mΩ
栅源电压 4.5V 时的导通电阻RDSON@VGS=4.5V：135mΩ
封装：SOT-23
卷装(Reel)：3000只
整箱(Carton)：180000只
卷盘尺寸：7 英寸
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| 通用额定条件（除特别注明外，TC=25∘C） | |||
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| IS | 体二极管连续正向电流 | 2.6 | A |
| （安装在大型散热器上） | |||
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限测试，注 1） | 10 | A |
| ID | 连续漏极电流 | 2.6 | A |
| PD | 最大耗散功率 | 1 | W |
| RθJA | 结到环境热阻（注 2） | 125 | ℃/W |
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