HTSEMI(金誉半导体)PTY10HN08 80V 90A N沟道高级功率MOSFET管功率器件
特性：
低导通电阻，最小化导通损耗
雪崩电流大
100% 雪崩测试
应用领域：
电源供应
直流 - 直流转换器
不间断电源（UPS）
电池管理
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：80V
漏极电流(Id)：90A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：6.9mΩ
封装：TO-263
卷装(Reel)：800只
整箱(Carton)：6400只
卷盘尺寸：13 英寸
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| 通用额定条件（除特别注明外，TC=25°C） | |||
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 80 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±25 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| IS | 体二极管连续正向电流 | 97 | A |
| （安装在大型散热器上） | |||
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 313 | mJ |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限测试，注 2） | 360 | A |
| ID | 连续漏极电流 | 90 | A |
| PD | 最大耗散功率 | 180 | W |
| RθJC | 结到壳热阻（注 3） | 0.63 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境热阻（注 3） | 62.5 | ℃/W |
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