HTSEMI(金誉半导体)PTP80N06 60V 80A N沟道高级功率MOSFET功率器件
特性：
提升的电压变化率（dv/dt）能力，高坚固性。
最高结温范围（150°C）
100% 雪崩测试
应用领域：
功率因数校正（PFC）
开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：60V
漏极电流(Id)：80A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：6.3mΩ
封装：TO-220
管装(Tube)：50只
整箱(Carton)：5000只
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
| — | 通用额定值（除非另有说明，TC=25∘C） | — | — |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 60 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±25 | V |
| TJ | 最高结温 | 150 | ∘C |
| TSTG | 储存温度范围 | -55～150 | ∘C |
| IS | 二极管连续正向电流（安装在大型散热器上，TC=25∘C） | 100 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 242 | mJ |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅片极限测试，TC=25∘C） | 320 | A |
| ID | 连续漏极电流（TC=25∘C） | 80 | A |
| PD | 最大耗散功率（TC=25∘C） | 125 | W |
| RθJC | 结 - 壳热阻（注 3） | 1 | ∘C/W |
| RθJA | 结 - 环境热阻（注 3） | 62.5 | ∘C/W |
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