HTSEMI(金誉)PTD60N06 60V 20A N沟道高级功率MOSFET功率器件
特性：
改进的dv/dt能力，高坚固性。
最高结温范围(150°C)
100%雪崩测试
应用领域：
功率因数校正(PFC)
直流 - 直流转换器（DC-DC 转换器）
不间断电源(UPS)
电池管理系统
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：60V
漏极电流(Id)：65A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：9.3mΩ
封装：TO-252
卷盘：2500PCS
卷盘尺寸：13inch
纸箱：50000PCS
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 额定值 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 通用额定值（TC=25℃，除非另有说明） | 60 | V |
| VGS | 栅源电压 | 通用额定值 | ±20 | V |
| TJ | 最高结温 | 通用额定值 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | 通用额定值 | -55 ~ 150 | ℃ |
| IS | 二极管连续正向电流 | TC=25℃，安装在大型散热片上 | 50 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量（注 1） | 安装在大型散热片上 | 300 | mJ |
| IDM | 脉冲漏极电流（硅极限，注 2） | 安装在大型散热片上，TC=25℃ | 200 | A |
| ID | 连续漏极电流 | 安装在大型散热片上，TC=25℃ | 50 | A |
| PD | 最大耗散功率 | 安装在大型散热片上，TC=25℃ | 85 | W |
| RθJC | 结 - 壳热阻（注 3） | 安装在大型散热片上 | 1.8 | ℃/W |
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