HTSEMI(金誉)PTD20N06 60V20A N沟道高级功率MOSFET功率器件
特性：
改进的dv/dt能力，高坚固性。
最高结温范围(150°C)
100%雪崩测试
应用：
功率因数校正(PFC)
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
参数：
漏源击穿电压(Vdss)：60V
漏极电流(Id)：20A
栅源电压 10V 时的导通电阻RDSON@VGS=10V：22mΩ
封装：TO-252
卷盘：2500PCS
卷盘尺寸：13inch
纸箱：50000PCS
| 符号 | 参数（中文） | 额定值 | 单位 | 备注 |
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | 60 | V | 通用额定值（除非另有说明，环境温度 TC=25℃） |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V | 通用额定值 |
| TJ | 最高结温 | 150 | ℃ | 通用额定值 |
| TSTG | 存储温度范围 | -55℃ ~150℃ | ℃ | 通用额定值 |
| IS | 二极管连续正向电流 | 20 | A | TC=25℃ |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 72 | mJ | 安装在大型散热片上（注 1） |
| IDM | 脉冲漏极电流测试（硅极限） | 60 | A | 安装在大型散热片上，TC=25℃（注 2） |
| ID | 连续漏极电流 | 20 | A | 安装在大型散热片上，TC=25℃ |
| PD | 最大功耗 | 40 | W | 安装在大型散热片上，TC=25℃ |
| RθJC | 结到壳热阻 | 3.7 | ℃/W | 安装在大型散热片上（注 3） |
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