HT (金誉)芯片-htsemi (金誉半导体)芯片代理商-金誉半导体功率器件、电源管理芯片、分立器件、集成电路IC系列产品_第2页

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PTD15N10
- 制造商：HTSEMI(金誉) 漏源电压(Vdss)：100V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-252 产品价格：具体面议
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PTD12N10
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 漏源电压(Vdss)：100V
- 温度范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 封装：TO-252 产品价格：具体面议
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PTL03N10
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 漏源电压(Vdss)：100V
- 温度范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 封装：SOT-23 产品价格：具体面议
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PTY10HN08
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：80V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-263 产品价格：具体面议
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PTY90N08
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：80V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-263 产品价格：具体面议
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PTY88N07
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：65V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-263 产品价格：具体面议
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PTD88N07
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：65V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-252 产品价格：具体面议
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PTY80N06
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：60V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-263 产品价格：具体面议
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PTP80N06
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：60V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-220 产品价格：具体面议
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PTD80N06
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：60V
- 温度范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 封装：TO-252 产品价格：具体面议
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