XM25EU02D

XM25EU02D产品型号功能介绍：

•单电压电源

-电压：1.65V至2.0V

•高性能串行闪存（spi）

-最大166mhz，用于快速读取操作

-DTR四路I/O数据传输高达200MBytes/s

•灵活的内存架构

-扇区大小：4k字节

-块大小：32/64k字节

•高级安全功能

-每个设备的128位唯一id

-3x2048字节带OTP锁的安全寄存器

产品特性：

2吉比特串行闪存– 容量：256 兆字节– 可编程页容量：每页 256 字节

支持标准、双路、四路串行外设接口、四路串行外设指令模式、双倍传输速率模式– 标准串行外设接口：时钟线、片选信号线、串行输入线、串行输出线– 双路串行外设接口：时钟线、片选信号线、输入输出 0 线、输入输出 1 线– 四路串行外设接口：时钟线、片选信号线、输入输出 0 线、输入输出 1 线、输入输出 2 线、输入输出 3 线– 四路串行外设指令模式：时钟线、片选信号线、输入输出 0 线、输入输出 1 线、输入输出 2 线、输入输出 3 线– 支持串行外设接口双倍传输速率读取模式– 支持 3 字节或 4 字节地址模式

高速时钟频率– 快速读取模式下最高时钟频率 166 兆赫兹– 双路输入输出模式下数据传输速率最高可达 332 兆比特 / 秒– 四路输入输出模式下数据传输速率最高可达 664 兆比特 / 秒– 四路串行外设指令模式下数据传输速率最高可达 664 兆比特 / 秒– 搭配数据选通信号的双倍传输速率四路输入输出模式下，数据传输速率最高可达 200 兆字节 / 秒

软件写保护功能– 可通过软件对存储器全部或部分区域进行写保护– 支持顶部 / 底部区块保护

耐久度与数据保存能力– 最低支持 10 万次编程 / 擦除循环– 典型数据保存期限可达 20 年– 片内集成错误校验与纠错功能（每 16 字节支持 1 比特纠错、2 比特检错）*– 循环冗余校验功能可检测原始数据的意外改动

支持片上执行（XIP） 操作– 高速读取功能缩短片上执行指令的总体读取时间– 带环绕功能的连续读取模式，可进一步降低数据延迟，以快速填充片上系统缓存

快速编程 / 擦除速度– 页编程时间：典型值 0.25 毫秒– 扇区擦除时间：典型值 25 毫秒– 块擦除时间：典型值 120 毫秒– 整片擦除时间：典型值 70 秒

灵活的架构设计– 统一 4KB 扇区划分– 统一 32KB/64KB 块划分

低功耗特性– 典型待机电流：60 微安– 典型深度掉电电流：4微安

高级安全特性– 每颗器件配备 128 位唯一识别码（UID）– 串行闪存可发现参数寄存器（SFDP）– 3 组 2048 字节安全寄存器，支持一次性可编程（OTP）锁定

单电源供电– 工作电压范围：1.65–2.0V

封装：

K: SOP16L300ml:

X:WSON 6x8 8L;

B2:TFBGA 6×8 24ball (5*5 ballarray):

XM25EU02D产品介绍：

XM25EU02D 型（2G-bit）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双路 / 四路串行外设接口以及双倍传输速率（DTR）模式，其接口信号包含串行时钟、片选、串行数据输入输出引脚 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2 和 I/O3。

双路输入输出模式下的数据传输速率可达 332 兆比特 / 秒，四路输入输出模式下的数据传输速率可达 664 兆比特 / 秒，双倍传输速率四路输入输出模式下的数据传输速率可达 200 兆字节 / 秒。