XM25QH128CHIG

3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI

XMC(武汉新芯)XM25QH128CHIG SPI NOR FLASH芯片：

产品特性

全新一代串行闪存产品系列

XM25QH128C：容量 128 兆位 / 16 兆字节

标准 SPI：时钟、片选、数据输入、数据输出、写保护、暂停控制

双线 SPI：时钟、片选、双向 IO0、双向 IO1、写保护、暂停控制

四线 SPI：时钟、片选、双向 IO0、双向 IO1、双向 IO2、双向 IO3

四线外设接口 (QPI)：时钟、片选、双向 IO0~IO3

高性能串行闪存

单通道、双线 / 四线 SPI 时钟频率最高可达 133 兆赫兹

可配置等待周期，实现高速读取操作

擦写 / 编程循环寿命超 10 万次

数据保存时长超 20 年

支持 8/16/32/64 字节循环突发读取

高效连续读取与 QPI 工作模式

支持 8/16/32/64 字节循环连续读取

四线外设接口（QPI）可降低指令传输开销

支持原位执行（XIP）运行模式

高速编程 / 擦除性能

页编程典型时长：0.5 毫秒

扇区擦除典型时长：40 毫秒

32KB 块擦除典型时长：120 毫秒

64KB 块擦除典型时长：250 毫秒

整片擦除典型时长：55 秒

宽电压、宽工作温度范围

全工作电压区间：2.3V~3.6V

读取工作最大电流：18 毫安

超深度掉电模式最大电流：5 微安

工作温度范围：-40℃ ~ +105℃

4KB 扇区灵活架构设计

统一规格扇区 / 块擦除（4K/32K/64K 字节）

单编程页面可写入 1~256 字节数据

支持擦除 / 编程暂停与恢复功能

完善的高级安全防护机制

支持软件、硬件双重写保护

具备电源锁定保护与一次性可编程（OTP）防护

支持存储阵列首尾区域、互补阵列保护

单颗芯片搭载 64 位唯一识别码

兼容串行闪存可识别参数（SFDP）标准协议

内置 3 组可锁定 256 字节一次性可编程安全存储页

配备易失性与非易失性状态寄存器位

封装：

H: SOP 208mil 8L: R: VSOP 208mil 8L

W: WSON 5x6 8L:

V3:WLCSP 21bal

XM25QH128CHIG SPI NOR FLASH产品概述：

XM25QH128C为128M位串行闪存，专为空间、引脚及功耗受限的系统提供存储解决方案。25Q 系列在灵活性与性能上远超普通串行闪存产品，适用于代码镜像加载至内存、双线 / 四线 SPI 就地代码执行（XIP），以及语音、文本与各类数据存储场景。器件单电源供电，工作电压 2.3V~3.6V，超深度掉电模式下功耗低至 1μA，全系均采用小型化节省空间封装。

XM25QH128C 存储阵列共分为 65536 个可编程页面，单页容量 256 字节，单次最多可编程写入 256 字节。页面可按分组擦除：16 页为一组（4KB 扇区擦除）、128 页为一组（32KB 块擦除）、256 页为一组（64KB 块擦除），也支持整片全擦除。该芯片包含 4096 个可擦除扇区、256 个可擦除大块。极小的 4KB 扇区设计，可大幅提升数据与参数存储类应用的使用灵活性。

芯片支持标准串行外设接口（SPI）、双路 / 四路输入输出 SPI，以及双时钟指令周期的四线外设接口（QPI）；硬件引脚包含：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（写保护）、I/O3（暂停）。标准 SPI 时钟最高 133MHz；搭配双线 / 四路高速读取及 QPI 指令时，双路 I/O 等效时钟可达 266MHz，四路 I/O 等效时钟高达 532MHz，传输性能优于传统 8 位、16 位异步并行闪存。

连续读取模式仅需 8 个时钟周期即可完成 24 位地址指令开销，存储器访问效率更高，可实现真正的就地代码运行（XIP）。

芯片配备暂停引脚、写保护引脚，结合可编程写保护与上下存储区锁定控制，进一步提升使用管控灵活性。同时兼容 JEDEC 标准厂商 ID 与设备 ID、SFDP 标准寄存器，内置 64 位唯一序列号及 3 组 256 字节安全寄存器。