XM25RH512CXIQT10S

3V 512M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI & RPMC

XMC(武汉新芯) XM25RH512CXIQT10S SPI NOR Flash芯片介绍：

特征

全新系列 SpiFlash 闪存 — XM25RH512C

容量：512M‑bit / 64M‑byte

标准 SPI：CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold

双路 SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold

四路 SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

QPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

高性能串行闪存

108MHz 单线、双路 / 四路 SPI 时钟

快速读取操作支持可配置空时钟周期数

擦写 / 编程次数：大于 100,000 次

数据保存时间：大于 20 年

支持突发读取，支持 8/16/32/64 字节环绕模式

高效 “连续读取” 与 QPI 模式

连续读取支持 8/16/32/64 字节环绕

四路外设接口（QPI）降低指令开销

支持真正的 XIP（片内执行）操作

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.6ms

扇区擦除时间：典型值 50ms

32KB 块擦除时间：典型值 120ms

64KB 块擦除时间：典型值 250ms

整片擦除时间：典型值 100 秒

宽电压范围、宽温度范围

工作电压范围：2.7V–3.6V

工作温度范围：-40°C 至 +85°C

灵活架构，支持 4KB 扇区

统一扇区 / 块擦除（4K/32K/64K 字节）

每页可编程 1～256 字节

支持擦除 / 编程挂起与恢复

高级安全特性

软件及硬件写保护

电源锁定与 OTP 保护

顶部 / 底部、互补阵列保护

每颗芯片具备 128 位唯一 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）标识

3 组可锁定 OTP 256 字节安全页

易失性与非易失性状态寄存器位

重放保护单调计数器（RPMC）

封装型号：

K: SOP 300mil 16L

X:WSON 6x8 8L

B: TFBGA 6x8 24ball (6*4 ball array)

B2: TFBGA 6x8 24ball (5*5 ball array)

XM25RH512CXIQT10S SPI NOR Flash一般说明

XM25RH512C（512M 位）串行闪存专为空间、引脚及功耗受限的系统提供存储解决方案。25Q 系列具备远超普通串行闪存的灵活性与性能，非常适合将代码映射至 RAM、通过双 / 四路 SPI 直接执行代码（XIP），以及存储语音、文本和数据。器件采用单电源 2.7V～3.6V 供电，深度掉模式下电流可低至 1µA，全系均采用节省空间的封装。

XM25RH512C 存储阵列划分为 262,144 个可编程页，每页 256 字节，单次最多可编程 256 字节。页面可按 16 页为一组（4KB 扇区擦除）、128 页为一组（32KB 块擦除）、256 页为一组（64KB 块擦除）或整片擦除。XM25RH512C 分别包含 16,384 个可擦除扇区与 2,048 个可擦除块。4KB 小扇区架构可为需要数据与参数存储的应用提供更高的灵活性。（见图 1）

XM25RH512C 支持标准串行外设接口（SPI）、双 / 四路 I/O SPI 以及双时钟指令周期的四路外设接口（QPI）：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）、I/O3（/HOLD）。器件支持最高 108MHz SPI 时钟，在使用快速读取双 / 四路 I/O 及 QPI 指令时，等效时钟速率可达双路 I/O 216MHz、四路 I/O 432MHz。该传输性能可超越标准的 8 位与 16 位异步并行闪存。

连续读取模式仅需最少 8 个时钟的指令开销即可读取 24 位地址，实现高效存储访问，支持真正的片内执行（XIP）功能。

保持引脚、写保护引脚及带顶部 / 底部阵列控制的可编程写保护功能，可提供更灵活的控制。此外，器件支持 JEDEC 标准厂商 ID 与器件 ID、SFDP 寄存器、128 位唯一序列号以及 3 个 256 字节安全寄存器。

XM25RH 系列还通过重放保护单调计数器（RPMC）具备增强认证安全特性，可在闪存与控制器之间建立高安全性通信，降低系统遭受硬件攻击的风险。