XM25RU512CXINT10S

XM25RU512C 1.8V 512M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI & RPMC

XMC(武汉新芯)XM25RU512CXINT10S  SPI NOR FLASH芯片：

全新串行闪存（SpiFlash）存储产品系列

XM25RU512C：512 兆位 / 64 兆字节

标准 SPI 模式：时钟、片选、数据输入、数据输出、写保护、暂停控制

双路 SPI 模式：时钟、片选、输入输出 0、输入输出 1、写保护、暂停控制

四路 SPI 模式：时钟、片选、输入输出 0、输入输出 1、输入输出 2、输入输出 3

四路外设接口 (QPI)：时钟、片选、输入输出 0、输入输出 1、输入输出 2、输入输出 3

超高性能串行闪存

单路 / 双路 / 四路 SPI 时钟频率高达 108MHz

可配置冗余时钟周期，支持高速读取操作

擦除 / 编程寿命：超 10 万次

数据保存年限：20 年以上

支持 8/16/32/64 字节环绕式突发读取

高效连续读取 与 QPI 工作模式

支持 8/16/32/64 字节环绕式连续读取

四路外设接口（QPI）可减少指令传输开销

支持真正的就地执行（XIP） 运行模式

高性能编程 / 擦除速度

页编程典型时长：0.6 毫秒

扇区擦除典型时长：50 毫秒

32KB 块擦除典型时长：120 毫秒

64KB 块擦除典型时长：250 毫秒

整片擦除典型时长：100 秒

宽电压、宽温域特性

完整工作电压范围：1.65~1.95V

工作温度范围：-40℃ ~ +85℃

灵活架构・4KB 扇区设计

统一扇区 / 块擦除规格：4K / 32K / 64K 字节

单可编程页可一次性编程 1~256 字节

支持擦除 / 编程 暂停与恢复功能

高级安全保护特性

支持软件写保护 + 硬件写保护

电源锁定保护 + OTP 一次性可编程保护

支持顶部 / 底部存储区、互补阵列保护

每颗芯片内置128 位唯一 ID

兼容 **SFDP（串行闪存可识别参数）** 标准协议

内置3 组可锁存 256 字节 OTP 安全页

支持易失性 / 非易失性 状态寄存器位配置

集成RPMC 防重放单调计数器

封装：

– WSON 6x8 8L

XM25RU512CXINT10S SPI NOR FLASH产品概述：

XM25RU512C（512 兆位）串行闪存，可为空间、引脚及功耗受限的系统提供存储解决方案。25Q 系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性与性能，非常适用于代码镜像加载至 RAM、通过双路 / 四路 SPI就地执行（XIP） 程序，以及语音、文本和数据存储等场景。

该器件仅需单路1.65V~1.95V电源供电，深度掉电模式下功耗低至 1 微安，全系均采用小型化封装，节省 PCB 布局空间。

XM25RU512C 存储阵列架构共分为262144 个可编程页，每页容量 256 字节，单次最多可对 256 字节进行编程写入。页面可按分组方式擦除：

每 16 页为一组：4KB 扇区擦除

每 128 页为一组：32KB 块擦除

每 256 页为一组：64KB 块擦除

也支持整片全擦除。

XM25RU512C 拥有 16384 个可擦除扇区、1024 个可擦除块。极小的 4KB 扇区设计，让需要数据与参数存储的应用具备更高的使用灵活性（参见图 1）。

XM25RU512C 支持标准 SPI 串行外设接口、双路 / 四路 I/O SPI，以及双时钟指令周期的 QPI 四路外设接口；引脚包含：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（写保护 / WP）、I/O3（暂停 / HOLD）。

器件最高支持 108MHz SPI 时钟；采用高速双路 / 四路 I/O 读取及 QPI 指令时，等效时钟速率可达：双路 I/O 216MHz、四路 I/O 432MHz。该传输性能优于传统 8 位 / 16 位异步并行闪存。

连续读取模式仅需8 个时钟周期的指令开销即可读取 24 位地址，内存访问效率极高，可实现真正的XIP 就地代码执行。

芯片配备暂停引脚、写保护引脚，以及可配置写保护功能，支持存储区顶部 / 底部区间锁定控制，进一步提升管控灵活性。此外，器件兼容 JEDEC 标准厂商 ID 与设备 ID、支持 SFDP 参数寄存器，内置128 位唯一序列号及3 组 256 字节安全寄存器。

XM25RH 系列还搭载RPMC 防重放单调计数器增强安全认证机制，可在闪存与主控之间建立高安全等级通信链路，有效降低系统遭受硬件攻击的安全漏洞风险。