XM25QU256DXIQT

XM25QU256D 1.8V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XM25QU256DXIQT SPI NOR FLASH芯片 产品特点：

产品特性

全新 SPI 闪存系列XM25QU256D：256M 比特 / 32M 字节

支持多种接口

标准 SPI：CLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD

双路 SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD

四路 SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

QPI 模式：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

支持 SPI/QPI DTR（双倍传输速率）读取

高性能串行闪存

166MHz 单线、双路 / 四路 SPI 快速读取

108MHz 标准读取

133MHz DTR 读取

快速读取模式下可配置空指令周期数

可靠性

擦写 / 编程次数：大于 100,000 次

数据保存时间：大于 20 年

高效读取模式

高效 “连续读取” 与 QPI 模式

支持 8/16/32/64 字节环绕连续读取

四路外设接口（QPI）降低指令开销

支持真正的 XIP（片内执行）操作

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.25 ms

扇区擦除时间：典型值 25 ms

32KB 块擦除时间：典型值 80 ms

64KB 块擦除时间：典型值 120 ms

整片擦除时间：典型值 40 秒

单电源供电

工作电压范围：1.65V–2.0V

低功耗特性

待机电流：典型值 15 μA

深度掉电电流：典型值 1 μA

读取工作电流：典型值 6 mA（80MHz 四路 I/O）

灵活架构

统一扇区 / 块擦除（4KB/32KB/64KB）

每可编程页支持 1~256 字节编程

支持擦除 / 编程挂起与恢复

高级安全特性

软件及硬件写保护

电源锁定与 OTP 保护

支持存储阵列顶部 / 底部、取反区域保护

每颗器件具备 128 位唯一 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）标识

3 个 2048 字节安全寄存器，带 OTP 锁定功能

支持 volatile 与非易失性状态寄存器位

封装：

K: SOP16L 300mil;

X: WSON 6x8 8L;

B2: TFBGA 6x8 24ball (5*5 ball array);

XM25QU256DXIQT SPI NOR FLASH产品说明：

XM25QU256DXIQT（256M 位）是一款串行接口闪存器件，采用 1.65V–2.0V 单电源供电设计；在深度掉电模式下电流低至 0.2µA。该器件支持将程序代码从闪存映射至片上或外置 RAM 中运行。

器件具备灵活的擦除架构，支持按页擦除，同样非常适用于数据存储，可省去额外的数据存储器件。

器件内设有 131,072 个可编程序页（每页 256 字节），单次最多可编程 256 字节。页面擦除方式支持：每 16 页为一组（4KB 扇区擦除）、每 128 页为一组（32KB 块擦除）、每 256 页为一组（64KB 块擦除）以及整片擦除。器件分别包含 8,192 个可擦除扇区和 512 个可擦除块。4KB 小扇区结构可为需要存储数据与参数的应用提供更高的灵活性。

该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双 I/O SPI、四 I/O SPI 以及双指令时钟周期的四外设接口（QPI），涉及信号包括串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）及 I/O3（/HOLD）。器件支持最高 166MHz 的 SPI 时钟频率；在运行快速读取双 / 四 I/O 及 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 332MHz，四 I/O 等效时钟速率可达 664MHz。

器件还新增支持 DTR（双倍传输速率） 指令，传输速率可超越标准的 8 位、16 位异步并行闪存。仅需 8 个时钟周期的指令开销即可完成 24 位地址读取，连续读取模式可实现高效存储器访问，支持真正的 XIP（片内执行）运行。

此外，器件配备保持引脚、写保护引脚，并支持通过存储阵列顶部 / 底部区域控制实现可编程写保护，进一步提升控制灵活性。器件同时支持 JEDEC 标准厂商 ID 与器件 ID、SFDP 寄存器、128 位唯一序列号以及 3 个 2048 字节安全寄存器。