XM25QH128AHIG

XM25QH128A preliminary 128 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

XMC(武汉芯新)XM25QH128AHIG SPI Interface Flash芯片介绍：

单电源供电 — 完整电压范围：2.7–3.6V

串行接口架构 — 兼容 SPI：模式 0 与模式 3

128Mb 串行闪存 — 128Mb / 16384KB / 65535 页 — 每可编程页面 256 字节

标准、双路或四路 SPI

标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#/RESET#

双路 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#/RESET#

四路 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

可配置空时钟周期数

高性能

普通读取：50MHz

快速读取（单数据速率模式）

标准 SPI：104MHz，1 个空字节

双路 SPI：104MHz，1 个空字节

四路 SPI：104MHz，3 个空字节

写暂停与写恢复功能

支持串行闪存可发现参数（SFDP）标识

低功耗

工作电流典型值：5mA

掉电电流典型值：1μA

概述

统一扇区架构

4096 个扇区，每扇区 4KB

512 个块，每块 32KB

256 个块，每块 64KB

任意扇区或块可独立擦除

软件与硬件写保护

可通过软件对全部或部分存储器进行写保护

可通过 WP# 引脚使能 / 关闭保护

软件与硬件复位

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5ms

扇区擦除时间：典型值 40ms

半块擦除时间：典型值 200ms

块擦除时间：典型值 300ms

整片擦除时间：典型值 60 秒

易失性状态寄存器位

可锁定 512 字节 OTP 安全扇区

读取唯一 ID 号

典型擦写寿命：10 万次

数据保存时间：20 年

封装选项:

H  = SOP 208mil 8L 

W = WSON 5x6 8L 

B = TFBGA 6x8 24ball

-所有无铅包装均符合RoHS标准

所有无铅封装均符合 RoHS（《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》）标准

XM25QH128AHIG SPI Interface Flash芯片一般说明

XM25QH128A 是一款容量为 128 兆位（16384KB）的串行闪存，具备先进的写保护机制。XM25QH128A 通过标准串行外设接口（SPI）引脚支持单比特与四比特串行输入输出指令：串行时钟、片选、串行 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）和 DQ3（HOLD#/RESET#）。器件支持最高 104MHz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，等效时钟频率可达 416MHz（104MHz×4）。可通过页编程指令对存储器进行单次 1～256 字节的编程操作。

XM25QH128A 还提供一套完善的机制，用于保护各个存储块，防止误操作或恶意的编程与擦除行为。通过支持对存储块进行单独保护与解除保护，系统可仅解除指定块的保护以修改其内容，同时保持存储器阵列中其余块处于安全保护状态。这一特性适用于需要按子程序或模块级别对程序代码进行补丁或更新的应用，也适用于需要修改数据存储区，同时避免误改程序代码区的应用场景。

XM25QH128A 支持单次擦除单个扇区 / 块，也支持整片芯片擦除。器件可配置为软件保护模式，对存储器的部分区域实施保护。每个扇区或块均可承受典型值 10 万次的编程 / 擦除周期。