XM25LU128D

1.8V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XM25LU128D SPI FLASH芯片特性

1 特性

全新 SPI 闪存系列

XM25LU128D：128 兆位 / 16 兆字节

标准 SPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、数据输入（DI）、数据输出（DO）、写保护（/WP）、保持（/Hold）

双路 SPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、IO0、IO1、写保护（/WP）、保持（/Hold）

四路 SPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、IO0、IO1、IO2、IO3

四路外围接口（QPI）：时钟（CLK）、片选（/CS）、IO0、IO1、IO2、IO3

SPI/QPI 双倍数据速率（DTR）读取

高性能串行闪存

166MHz 单路、双路 / 四路 SPI 时钟

80MHz 普通读取

108MHz 双倍数据速率（DTR）时钟

可配置虚拟周期数，实现快速读取操作

超过 10 万次擦除 / 编程循环

超过 20 年数据保留期

支持 8/16/32/64 字节环绕的突发读取

高效 “连续读取” 与 QPI 模式

支持 8/16/32/64 字节环绕的连续读取

四路外围接口（QPI）减少指令开销

支持真正的片上执行（XIP）操作

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.2 毫秒

扇区擦除时间：典型值 25 毫秒

32KB 块擦除时间：典型值 100 毫秒

64KB 块擦除时间：典型值 150 毫秒

整片擦除时间：典型值 20 秒

宽电源电压范围、宽工作温度范围

完整电压范围：1.65-2.0V

工作温度范围：-40°C 至 + 105°C

低功耗

典型待机电流：12 微安

典型深度掉电电流：0.5 微安

4KB 扇区灵活架构

统一扇区 / 块擦除（4K/32K/64K 字节）

每可编程页支持 1-256 字节编程

擦除 / 编程暂停与恢复功能

高级安全特性

软件与硬件写保护

电源锁定与一次性可编程（OTP）保护

顶部 / 底部、互补阵列保护

每颗器件配备 128 位唯一标识符（Unique ID）

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

3 组可 OTP 锁定的 2048 字节安全页

易失性与非易失性状态寄存器位

封装：

H: SOP 208mil 8L;

W:WSON 5x6 8L

X:WSON 6x8 8L

V:WLCSP 2x4 12ball

XM25LU128D SPI FLASH芯片概述

XM25LU128D（128 兆位）串行闪存为空间、引脚资源及功耗受限的系统提供存储解决方案。25LU 系列兼具远超普通串行闪存器件的灵活性与性能，适用于代码映射至 RAM、通过双路 / 四路 SPI 直接执行代码（XIP，片上执行）以及语音、文本和数据存储等场景。该器件采用 1.65V 至 2.0V 单电源供电，深度掉电模式下电流消耗低至 0.5 微安，全系列产品均提供节省空间的封装形式。

XM25LU128D 的存储阵列划分为 65536 个可编程页，每页 256 字节，单次最多可编程 256 字节。页可按 16 页组（4KB 扇区擦除）、128 页组（32KB 块擦除）、256 页组（64KB 块擦除）或整片（整片擦除）进行擦除操作，器件分别包含 512 个可擦除扇区和 32 个可擦除块。4KB 小扇区设计为需要数据和参数存储的应用提供了更高灵活性（详见图 2）。

XM25LU128D 支持标准串行外设接口（SPI）、双路 / 四路 I/O SPI 以及双时钟指令周期的四路外围接口（QPI），接口引脚包括串行时钟（CLK）、片选（/CS）、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和 I/O3（/HOLD）。器件支持最高 166MHz 的 SPI 时钟频率，当使用快速读取双路 / 四路 I/O 及 QPI 指令时，双路 I/O 等效时钟速率可达 332MHz，四路 I/O 等效时钟速率可达 664MHz。XM25LU128D 新增双倍数据速率（DTR）命令支持，其传输速率优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式可通过仅 8 个时钟周期的指令开销实现 24 位地址读取，支持高效的存储器访问及真正的片上执行（XIP）操作。

器件配备保持引脚（/HOLD）、写保护引脚（/WP）以及可编程写保护功能（支持存储阵列顶部 / 底部区域控制），提供更灵活的控制选项。此外，器件支持 JEDEC 标准厂商及器件 ID、串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器、128 位唯一序列号以及 3 个 2048 字节的安全寄存器。