XM25QH10BJIGT

3V 1M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI

XM25QH10BJIGT SPI Interface Flash芯片产品型号相关参数特点：

特性

低电源电压工作

单电源供电：2.7V-3.6V

1M 位串行闪存

存储容量：1M 位 / 128K 字节 / 512 页

每页可编程字节数：256 字节

存储架构：4K 字节均匀扇区、32K/64K 字节块

新一代串行闪存系列

标准 SPI 接口：CLK（时钟）、CS#（片选）、DI（数据输入）、DO（数据输出）、WP#（写保护）、HOLD#/RESET#（保持 / 复位）

双路 SPI 接口：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#/RESET#

四路 SPI 接口：CLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3

支持软件复位与硬件复位

自动增量读取功能

工作温度范围

工业级：-40°C 至 + 85°C

低功耗特性

典型工作电流：9mA

典型掉电电流：2μA

高效 “连续读取” 与四路读取

连续读取支持 8/16/32/64 字节环绕模式

地址寻址仅需 8 个时钟周期

四路外设接口减少指令开销

灵活的 4KB 扇区架构

扇区擦除（4KB 字节）

块擦除（32KB/64KB 字节）

页编程最大支持 256 字节

最少 10 万次擦除 / 编程循环

数据保留期超过 20 年

高级安全特性

软件与硬件写保护

电源锁定与一次性可编程（OTP）保护

顶部 / 底部、互补阵列保护

每颗器件配备 64 位唯一标识符（Unique ID）

可发现参数（SFDP）寄存器

3 组 256 字节安全寄存器（带 OTP 锁定功能）

易失性与非易失性状态寄存器位

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 600 微秒（μs）

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒（ms）

块擦除时间：典型值 200 毫秒（ms）

整片擦除时间：典型值 1.5 秒（s）

封装：H: SOP 208mil 8L； J: SOP 150mil 8L； U: USON 2x3 8L；

XM25QH10BJIGT SPI Interface Flash介绍：

XM25QH10BJIGT是一款非易失性闪存器件，支持标准串行外设接口（SPI）。该器件不仅兼容传统 SPI 的单比特串行输入 / 输出（单 I/O 模式，SIO），还可选配双比特（双 I/O 模式，DIO）和四比特（四 I/O 模式）串行协议，这种多宽度接口被称为 SPI 多 I/O 模式（MIO）。

SPI 协议仅需 4 至 6 个信号：

片选信号（CS#）

串行时钟（CLK）

串行数据信号

IO0（数据输入，DI）

IO1（数据输出，DO）

IO2（写保护，WP#）

IO3（保持 / 复位，HOLD# / RESET#）

XM25QH10B支持标准串行外设接口（SPI）、双 / 四 I/O SPI 模式，以及两时钟指令周期的四外设接口（Quad Peripheral Interface），涉及信号包括：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（WP#）和 I/O3（HOLD# / RESET#）。器件支持的 SPI 时钟频率最高可达 104MHz。

在使用快速读取双 / 四 I/O 模式（Fast Read Dual/Quad I/O）时，双 I/O 模式的等效时钟频率可达 208MHz（104MHz × 2），四 I/O 模式则为 416MHz（104MHz × 4）。该传输速率优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式（Continuous Read Mode）可实现高效的存储器访问，仅需 8 个时钟周期的指令开销即可读取 24 位地址，支持真正的片上执行（XIP，execute in place）操作。

保持引脚（Hold pin）、写保护引脚（Write Protect pin）以及带顶部 / 底部阵列控制的可编程写保护功能，提供了更高的控制灵活性。此外，该器件支持 JEDEC 标准厂商及器件 ID、可发现参数寄存器（SFDP Register）、64 位唯一序列号（Unique Serial Number）以及三组 256 字节安全寄存器（Security Registers）。

XM25QH10B为空间、信号连接和功耗受限的系统提供了理想的存储解决方案。该系列存储器的灵活性和性能优于普通串行闪存器件，适用于代码映射至 RAM、直接执行代码（XIP）以及存储可重编程数据等场景。