ME25L40AM1IG

产品型号：ME25L40AM1IG

制造商：台湾盟鑫微

价格：

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：4Mbit

电压-电源：2.33.6V

规格封装：SOP8 150mil

说明书：点击下载

产品介绍

ME25L40A功能介绍：

ME25L40A 4M比特串行闪存，带 4KB 均匀扇区

单电源操作

- 全电压范围：2.3-3.6 伏

● 串行接口架构

- 兼容 SPI：模式 0 和模式 3

● 4M 位串行闪存

- 4M 位 / 512 K字节 / 2,048 页

- 每页可编程 256 字节

● 标准、双 SPI

- 标准 SPI：CLK, CS#, DI, DO, WP#

- 双 SPI：CLK, CS#, DQ, DQ, WP#

● 高性能

- 标准 SPI 时钟速率 104MHz

- 双数据位时钟速率 104MHz

● 低功耗

- 典型工作电流 5 mA

- 典型待机电流 1 μA

统一扇区架构：

- 128 个 4KB 扇区

- 16 个 32KB 块

- 8 个 64KB 块

- 任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护：

通过软件对全部或部分内存进行写保护

-WP# 引脚可启用/禁用保护

● 高性能编程/擦除速度

页面编程时间：典型 0.6ms

扇区擦除时间：典型 50ms

- 32KB 块擦除时间：典型 150ms

- 64KB 块擦除时间：典型 300ms

- 芯片擦除时间：典型 2.5 秒

● 最低 10 万次耐久循环

● 数据保持时间 20 年

● 封装选项

- 8 针 SOP，150mil 外壳宽度

所有无铅封装均符合 RoHS、无卤和 REACH

● 工业级温度范围

这个设备是一个4兆位（512 K字节）的串行闪存，带有增强的写保护机制。它支持标准的串行外设接口（SPI）和高性能的双输出模式。SPI时钟频率可达104MHz，双输出模式下可实现等效208MHz（104MHz x 2）的时钟速率。使用页面编程指令，可一次编程1到256字节。

该设备设计允许一次擦除单个扇区/块或整片芯片。设备可以配置为软件保护模式来保护部分内存。每个扇区或块至少可以承受10万次编程/擦除循环。

通讯

有线和无线网络持续演进，XMCNORFlash器件在通信和网络设备(STB，交换机，路由器，PON，xDSL，无线接入以及其他网络基础设施）中广泛使用，支持低延时，高速率，以及高效的能耗管理；

消费类电子（可穿戴、便携式多媒体、智能手表、游戏机、玩具、摄像机等）要求宽电压，低功耗，以及紧凑的封装，以便让产品能够支持更长的电池使用时间，更小的体积和更低的成本。XMC提供一系列丰富的NORFlash器件，以帮助客户在降低成本的同时，缩短产品上市的时间；

物联网

物联网应用通常在架构上非常灵活，高效，要求低功耗和持久的可靠性，XMC为业界带来极具价值的NOR Flash方案，支持从Flash直接执行指令，XMC器件的宽电压和深度休眠模式也能尽其所能地帮助物联网设备降低功耗，延长电池寿命。

电脑及周边

电脑及周边产品不仅需要存储器具备高容量，而且还要有更好的读取性能。XMC的NORFlash存储产品，广泛应用于桌面机、笔记本、服务器、游戏本、超级本、平板等产品。XMC凭借产品的高性能和低功耗特性，极力协助电脑客户提升产品亮点。

工控

高可靠性，宽温，长期的持续供货是工业应用的典型要求，工业设备通常会工作在较为恶劣的环境，高温，震动，供电不稳定都很常见，MC持续为业界提供能满足这些需求的高质量，高性能的产品。

ME25L40AM1IG功能框图

ME25L40AM1IG订单信息

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