ME25L256AM2IG

产品型号：ME25L256AM2IG

制造商：MengXW(台湾盟鑫微)

价格：具体面议

温控范围：-40°C to +85°C

用途：SPI NOR FLASH

存储容量：256Mbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：SOP8 200 mil (or 208/209 mil)

说明书：点击下载

产品介绍

ME25L256A 256 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

MengXW(台湾盟鑫微)ME25L256AM2IG SPI NOR Flash闪存芯片特点：

特性

单电源供电完整电压范围：2.7–3.6V

串行接口架构兼容 SPI：模式 0、模式 3

256Mbit 串行 Flash

256Mbit / 32768KB / 131072 页

每页可编程容量：256 字节

标准 SPI / 双 SPI / 四 SPI

标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

双 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#

四 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

可配置 Dummy Cycle（虚拟等待周期）

高性能读取

供电 2.7–3.6V

单 / 双 / 四通道 I/O 最高时钟：104MHz

支持快速读（Fast Read）

低功耗

典型工作电流：7mA

典型掉电电流：1μA

均匀扇区架构

- 8192 个扇区，每个扇区 4KB

- 1024 个块，每个块 32KB

- 512 个块，每个块 64KB

任意扇区或块可独立擦除

软件 + 硬件写保护

可通过软件对全部或部分存储区域开启写保护

可通过 WP# 引脚开启 / 关闭保护

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型 0.5ms

扇区擦除时间：典型 40ms

半块擦除时间：典型 200ms

块擦除时间：典型 300ms

整片擦除时间：典型 120s

3 字节地址 / 4 字节地址可切换

易失性状态寄存器位

可锁定 3×512 字节 OTP 安全扇区

支持 SFDP（Serial Flash Discoverable Parameters）参数表

可读取唯一 ID 序列号

擦写寿命：最少 100K 次循环

数据保存时长：大于 20 年

封装选项

SOP8 200mil（也提供 208/209mil）

SOP16 300mil

VDFN/WSON8 5×6 mm

VDFN/WSON8 6×8 mm

所有无铅封装符合 RoHS、无卤、REACH 规范

ME25L256AM2IG SPI NOR Flash闪存芯片概述：

该器件为 256Mbit（32768K 字节）串行 Flash 存储器，搭载先进的写保护机制。

器件通过标准串行外设接口（SPI）引脚支持单比特、四比特串行输入输出指令：串行时钟、片选、DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）以及 DQ3（HOLD#/RESET#）。可通过页编程指令，一次对 1～256 字节进行编程。

器件支持对存储块解除保护或开启保护，系统可按需解除部分块的保护以修改内容，同时保持其余存储块处于安全保护状态。该特性适用于需要按子程序、模块对程序代码进行补丁或升级的场景，也适合需要修改部分数据存储段、同时规避程序代码段被意外篡改的应用。

器件支持单次单个扇区 / 块擦除，也支持整片擦除。可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。每个扇区或存储块最少可承受 10 万次编程 / 擦除循环。

ME25L256AM2IG封装图

ME25L256AM2IG产品订购信息

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