ME35LF01GLGEG

产品型号：ME35LF01GLGEG

制造商：MengXW(台湾盟鑫微)

价格：具体面议

温控范围：-40°C to +85°C

用途：SPI NAND FLASH

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：LG:WSON8 8*6mm

说明书：点击下载

产品介绍

ME35LF01GLGEG/ME35LF02GLGEG/ME35LF04GLGEG SPI NAND FLASH Datasheet

MengXW(台湾盟鑫微)ME35LF01GLGEG SPI NAND Flash闪存芯片特点：

1 特性

1Gb / 2Gb / 4Gb SLC NAND Flash

存储容量

- 1Gb / 2Gb：

页大小：(2048 + 64) 字节

块大小：(128K + 4K) 字节

- 4Gb：

页大小：(4096 + 128 / 256) 字节

块大小：(256K + 8 / 16K) 字节

高时钟频率

- 3.3V 供电：快速读取模式最高 104MHz（负载 30pF）

- 3.3V 供电：四线 I/O（Quad I/O）数据传输速率最高 416Mbit/s

软件 / 硬件写保护

可通过软件寄存器对全部或部分存储区域设置写保护

支持 WP# 引脚硬件写保护

单电源供电

- 3.3V 全电压区间：2.7V ～ 3.6V

高级安全特性

8 页，16K/32K 字节一次性可编程（OTP）区域

编程 / 擦除 / 读取速度

- 页编程时间：典型值 600μs

- 缓存编程时间：最小值 20μs

- 块擦除时间：最大值 3ms

- 随机页读取时间：典型值 280μs

- 顺序页读取 / 缓存读取时间：最小值 20μs

- 擦除 / 编程电流：典型值 30mA

- 工作电流：典型值 10mA

- 待机电流：典型值 66μA

增强访问性能

- 2K/4K 字节高速缓存，支持快速随机读

- 支持缓存读、缓存编程

NAND 专属高级特性与可靠性

- 出厂保证块 0 为好块

- 带 ECC 下 P/E 擦写循环：10 万次

- 数据保存年限：10 年

内置 ECC 纠错

- 每 528 字节支持 8bit 纠错

- 每 544 字节支持 16bit 纠错

MESD01GLGEG SD NAND Flash闪存芯片概述：

本 SPI（串行外设接口）NAND Flash 基于行业标准 NAND Flash 存储核心，为嵌入式系统提供高性价比、高密度的非易失性存储方案。它可以很好地替代 SPI NOR Flash 以及传统并行 NAND Flash，并具备以下优势特性：

- 包含电源 VCC、地 GND 在内，总引脚数仅 8 个

- 存储容量：1Gb / 2Gb / 4Gb

- 相比 SPI NOR，写入性能更优、单位比特成本更低

- 成本远低于并行 NAND Flash

这款少引脚型 NAND Flash 遵循行业标准 SPI 接口；不同容量版本之间引脚定义完全兼容。指令集和通用 SPI NOR 指令集相近，针对 NAND 特有功能做了适配修改，并新增多项功能。该 SPI NAND 易于集成，专门设计了多项特性，降低主控（Host）的管理难度：

可由用户开启 / 关闭内置 ECC：页编程时芯片内部自动生成 ECC 校验位；读取页面到缓存寄存器时，芯片会校验 ECC，必要时自动纠错。器件输出纠错后的数据，同时反馈 ECC 出错状态。

支持带内置 ECC 的片内数据搬运 / 回拷（Copy Back）：可便捷实现数据刷新、垃圾回收，无需把数据传出芯片再写入。该指令仅可在校验属性一致的块之间使用。

-上电预读（带内置 ECC）：上电后芯片自动将第一个块的首页加载至缓存，主控可直接从缓存读取数据，方便系统启动；开启 ECC 时，可保障读出数据经过纠错校验。

器件以页为单位进行编程、读取，以块为单位执行擦除。数据在存储阵列和寄存器之间按页传输，分为数据寄存器与缓存寄存器：

缓存寄存器靠近 I/O 控制电路，作为 I/O 数据缓冲区；数据寄存器靠近存储阵列，作为 NAND 存储阵列操作的缓冲区。缓存寄存器作为缓冲，支持页读写、随机读写以及回拷操作。

芯片设有 SPI 状态寄存器，用于上报器件的工作状态。

ME35LF01GLGEG封装图

ME35LF01GLGEG功能框图

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