ME25L64AWSIG

ME25L64A 64 兆比特、3 伏供电串行闪存，具备 4 千字节统一扇区架构

MengXW(台湾盟鑫微) ME25L64AWSIG spi nor flash

● 单电源供电工作

完整电压工作区间：2.7V～3.6V

● 串行接口架构

兼容 SPI 总线：支持模式 0、模式 3

● 64 兆比特串行闪存

容量：64Mb / 8192KB / 32768 页

每页可编程存储空间：256 字节

● 支持单线、双线、四线 SPI 模式

标准单线 SPI：时钟引脚、片选 #、数据输入、数据输出、写保护 #、

保持 #/ 复位#

双线 SPI：时钟引脚、片选 #、双向数据引脚 0、双向数据引脚 1、写保护 #、

保持 #/ 复位#

四线 SPI：时钟引脚、片选 #、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

● 高性能特性

全电压区间适配：

单线 / 双线 / 四线 I/O 快速读取：时钟频率最高 104MHz

稳压区间（3.0V～3.6V）：

四线 I/O 高速读取时钟可达 133MHz

● 支持串行闪存可识别参数协议（SFDP）标识

● 低功耗特性

工作电流典型值：6mA

待机电流典型值：1μA

● 统一扇区存储架构

总计 2048 个扇区，单个扇区大小 4KB

总计 256 个块，单个块大小 32KB

总计 128 个块，单个块大小 64KB

支持任意扇区、任意区块独立擦除

● 软硬件双重写保护功能

可通过软件配置，对整片存储区域或部分区域开启写保护

可借助 WP# 硬件引脚开启 / 关闭写保护

● 支持软件复位、硬件复位

● 读写擦除性能优异

页编程耗时：典型值 0.5ms

扇区擦除耗时：典型值 40ms

半块擦除耗时：典型值 200ms（原文 20oms 为笔误）

整块擦除耗时：典型值 300ms

整片芯片擦除耗时：典型值 30 秒

配备易失性状态寄存器位

● 3 组 512 字节可锁定一次性可编程（OTP）安全扇区

● 写入暂停与写入恢复功能

● 环绕式突发连续读取（可选 8/16/32/64 字节长度）

内置空白校验位

● 可读取芯片唯一序列号（UID）

● 擦写耐久寿命：最少 10 万次循环

● 数据保存年限：20 年

封装选型

8 引脚 SOP 封装，本体宽度 150mil

8 引脚 SOP 封装，本体宽度 200mil

16 引脚 SOP 封装，本体宽度 300mil

8 触点 VDFN/WSON 封装（6×5mm）

8 触点 VDFN/WSON 封装（8×6mm）

所有无铅封装均符合：RoHS 标准、无卤素要求以及 REACH 法规

● 工作温度范围：工业级温度区间

ME25L64AWSIG是一款容量 64 兆比特（8192 千字节）的串行闪存芯片，搭载先进的硬件写保护机制。

芯片依托标准串行外设接口（SPI）引脚，支持单线、四线串行收发指令，引脚包含：串行时钟引脚、片选引脚、双向数据引脚 DQ0（原数据输入 DI）、DQ1（原数据输出 DO）、DQ2（写保护 WP#）以及 DQ3（保持 / 复位复用引脚 HOLD#/RESET#）。芯片最高支持 133MHz SPI 时钟；调用四线输出读取指令时，等效总线时钟可达 532MHz（133MHz×4 倍）。可通过页编程指令，单次对 1~256 字节空间完成写入编程。

该芯片配备完善的区块防护方案，可规避误操作或恶意篡改带来的编程、擦除风险。凭借区块独立开启 / 关闭写保护的特性，系统可单独解除某一区块保护以修改内部数据，其余存储区块依旧处于安全锁定状态。该特性十分适配两类场景：一是按照子程序、功能模块分段对固件程序进行补丁迭代升级；二是需要修改数据存储分区，同时杜绝程序代码分区被意外改写的应用场景。

芯片支持单扇区 / 单区块独立擦除，也可执行整片芯片全盘擦除；还可通过配置进入软件保护模式，划定部分存储区域永久受保护。芯片每个扇区、存储区块均可承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。