ME25L80CM1IG

产品型号：ME25L80CM1IG

制造商：MengXW(台湾盟鑫微)

价格：

温控范围：40°C~85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：8Mbit

电压-电源：2.7~3.6V

规格封装：SOP8 150mil

说明书：点击下载

产品介绍

ME25L80C：8 兆比特串行闪存芯片，采用 4KB 统一扇区架构

MengXW(台湾盟鑫微)ME25L40EM1IG SPI NOR FLASH功能介绍：

● 单电源供电工作

工作电压全域：2.7V ~ 3.6V

● 串行接口架构

兼容 SPI 总线协议：支持 SPI 模式 0、模式 3

● 8 兆比特串行闪存

容量：8Mb / 1024KB / 4096 页

每页可编程写入容量：256 字节

● 支持单线、双线、四线 SPI 通讯

标准单线 SPI 引脚：时钟 CLK、片选 CS#、数据输入 DI、数据输出 DO、写保护 WP#

双线 SPI 引脚：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#

四线 SPI 引脚：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

● 高性能传输

单线传输时钟最高：104MHz

双线传输时钟最高：104MHz

四线传输时钟最高：104MHz

● 低功耗特性

工作电流典型值：8mA

掉电休眠电流典型值：1μA

● 统一扇区存储架构

总计 256 个扇区，单个扇区 4KB

总计 32 个存储块，单块 32KB

总计 16 个存储块，单块 64KB

任意扇区、存储块均可独立擦除

● 软硬件双重写保护

可通过软件设置，对整片闪存或局部区域开启写保护

可通过 WP# 硬件引脚开启 / 关闭写保护

● 超快编程、擦除速率

页编程耗时：典型值 0.8ms

扇区擦除耗时：典型值 30ms

32KB 区块擦除：典型值 100ms

64KB 区块擦除：典型值 200ms

整片芯片擦除：典型值 3 秒

● 可锁定 512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

● 兼容 SFDP 串行闪存可识别参数标准

● 可读取芯片唯一 UID 序列号

● 擦写耐久寿命：≥10 万次循环

● 断电数据保存时长：20 年

封装可选规格

8 引脚 SOP 封装，封装本体宽度 150mil

8 引脚 SOP 封装，封装本体宽度 200mil

所有无铅封装均符合 RoHS 指令、无卤素标准以及欧盟 REACH 法规要求。

芯片内置多重防护机制。器件兼容标准串行外设接口（SPI），依托 SPI 原有引脚即可实现高性能双线输出、四线双向传输功能；用到的引脚分别为：串行时钟引脚、片选引脚、双向数据引脚 DQ0（原数据输入 DI）、DQ1（原数据输出 DO）、DQ2（复用写保护 WP#）、DQ3（悬空引脚 NC）。

芯片最高支持 104MHz SPI 时钟频率；调用双线输出快速读取指令时，等效传输时钟可达 208MHz（104MHz×2）；启用四线输出高速读取模式时，等效时钟可达 416MHz（104MHz×4）。通过页编程指令，单次可对 1～256 字节存储空间执行写入编程。

芯片支持单扇区 / 单存储块独立擦除，也可执行整片芯片全盘擦除；可通过软件配置保护模式，划定部分存储区域禁止擦写。芯片每个扇区、存储区块均可承受不少于 10 万次编程 / 擦除循环。

ME25L80CM1IG

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