MESD01GLGEG

产品型号：MESD01GLGEG

制造商：MengXW(台湾盟鑫微)

价格：具体面议

温控范围：-30℃ to +85℃

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V~ 3.6V

规格封装：LGA8 (8*6mm) (Land GridArray)

说明书：点击下载

产品介绍

SD NAND Flash 是一种基于NAND 闪存技术并集成了SD卡协议的存储芯片。

MESD01G/MESD02G/MESD04G SD NAND Datasheet

MengXW(台湾盟鑫微)MESD01GLGEG SD NAND Flash闪存芯片特点：

支持最高 50MHz 时钟频率

支持 1/4 位模式

内置硬件 ECC 校验引擎及高可靠性 NAND 闪存管理机制

写入速度最高达 Class 8 级别

采用小型化 LGA8 (8*6mm) (Land GridArray)封装

SD = 2.7~ 3.6V SD2.0 NAND in package form

01G = 1Gbit (128MByte)

02G = 2Gbit (256MByte)

04G = 4Gbit (512MByte)

E = Extended (-30℃ to +85℃)

G = Green/Reach Package

Empty=Optional

ME =Mengxinwei

封装规格：

LGA8 (8*6mm) (Land GridArray)

全系列产品均符合有害物质限制指令要求，且为无卤产品

MESD01GLGEG SD NAND Flash闪存芯片概述：

MengXW(台湾盟鑫微) SD NAND 是一款采用 LGA8 封装形式的嵌入式存储解决方案，兼容标准协议运行。该 SD NAND 由 NAND 闪存芯片及高性能控制芯片组成，其 NAND 存储区域的供电电压要求为 3.3V。产品全面兼容 SD2.0 接口协议，可适配市面上大部分通用处理器。MengXW(台湾盟鑫微) SD NAND 兼具高性能、高性价比、高品质及低功耗的优势。

MESD01GLGEG引脚定义参数：

MESD01GLGEG引脚说明