MX29GL512FLT2I-10Q

产品型号：MX29GL512FLT2I-10Q

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mb

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：56 Pin TSOP

说明书：点击下载

产品介绍

MX29GL512F SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX29GL512FLT2I-10Q 3V Parallel NOR Flash 闪存芯片型号介绍：

主要特性

读取、擦除、编程工作电压：2.7~3.6V

可切换字节 / 字模式：67108864×8 位 / 33554432×16 位

统一扇区架构：64K 字 / 128KB，共 512 个等容量扇区

页读取缓冲区：16 字节 / 8 字

写入缓冲区：64 字节 / 32 字

额外 128 字安全扇区：支持出厂锁定、状态识别，同时可供用户自行锁定

高级扇区保护功能（硬件固化保护 + 密码保护）

符合 JEDEC 标准：引脚定义及软件指令兼容单电源闪存

性能参数

高性能

高速读取时序：

MX29GL512F H/L：电源电压 3.0~3.6V 时为 100 纳秒，2.7~3.6V 时为 110 纳秒

MX29GL512F U/D：电源电压 2.7~3.6V、输入输出电压 1.65V~ 供电电压时，分别为 110 纳秒 / 120 纳秒

页访问时序：

MX29GL512F H/L：25 纳秒

MX29GL512F U/D：30 纳秒

快速编程：单字编程时长 10 微秒

快速擦除：单扇区擦除时长 0.5 秒

低功耗

典型工作读取电流（5MHz 工况）：10 毫安

典型待机电流：40 微安

擦写寿命：最少 10 万次编程 / 擦除循环

数据保存时长：20 年

软件功能

支持编程 / 擦除暂停、编程 / 擦除恢复

状态反馈：通过数据轮询、翻转位检测编程与擦除操作是否完成

兼容通用闪存接口（CFI）

硬件功能

就绪 / 忙状态输出引脚（RY/BY#）：硬件方式判断编程、擦除操作完成状态

硬件复位输入引脚（RESET#）：可将内部状态机强制复位至读取模式

写保护 / 加速编程复用引脚（WP#/ACC）：兼具硬件写保护、编程加速功能

封装形式（PACKAGE）

56-Pin TSOP

64-Ball LFBGA (11mm x 13mm)

56-Ball FBGA (7mm x 9mm)

全系列产品均符合 RoHS 环保标准

MX29GL512FLT2I-10Q引脚封装

MX29GL512FLT2I-10Q产品信息订购

MX29GL512FLT2I-10Q功能框图

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