MX25L25733F 3V, 256M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX25L25733FMI-10G 2.5/3V Serial NOR Flash 闪存芯片型号介绍:
通用特性
支持串行外设接口 SPI:0 模式、3 模式
单电源供电工作
芯片读取、擦除、编程工作电压:2.7V~3.6V
三种存储位架构:
268435456×1 位(单线模式)、
134217728×2 位(双线 I/O 模式)、
67108864×4 位(四线 I/O 模式)
通讯协议:支持单线 I/O、双线 I/O、四线 I/O
闩锁保护:在 - 1V~VCC+1V 电压区间,可承受最高 100mA 闩锁电流
SPI 高速读取功能
全通讯协议支持最高 133MHz 时钟频率
支持快速读、2READ、DREAD、4READ、QREAD 多条读指令
高速读操作可自定义配置冗余空时钟周期
支持四线外设接口(QPI)
存储分区规格:4KB 等大小扇区、32KB 等大小存储块、64KB 等大小存储块
任意存储块均可独立擦除
编程相关参数
页缓存大小:256 字节
支持四线 I/O 页编程(4PP),提升编程效率
典型擦写寿命:10 万次编程 / 擦除循环
数据保存时长:20 年
支持 4 字节地址寻址模式
软件特性
输入数据格式
指令码长度:1 字节
高级安全防护功能
存储块锁定保护:由 BP0~BP3、T/B 状态位配置受保护区域范围,保护区禁止编程与擦除操作
高级扇区固化保护(Solid Protect)
额外 8K 比特一次性可编程(OTP)安全存储区
内置唯一硬件识别码
出厂可加密锁定,用户也可通过指令自行锁定;配套指令复位功能
编程 / 擦除暂停、恢复操作
电子器件识别
JEDEC 标准:1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID
RES 指令:读取 1 字节器件 ID
REMS 指令:读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID
兼容串行闪存可发现参数(SFDP)规范
硬件引脚特性
SCLK:串行时钟输入引脚
SI/SIO0:串行数据输入;双线、四线 I/O 读模式下为双向数据输入输出引脚
SO/SIO1:串行数据输出;双线、四线 I/O 读模式下为双向数据输入输出引脚
WP#/SIO2:硬件写保护引脚;四线 I/O 读模式下为双向数据输入输出引脚(# 代表低电平有效)
HOLD#/SIO3:硬件暂停引脚;四线 I/O 读模式下为双向数据输入输出引脚(# 代表低电平有效)
封装形式(PACKAGE)
16-SOP (300mil)
全系列产品均符合 RoHS 环保标准


