MX29LV160DTXEI-70G

MX29LV160D T/B 16M-BIT [2M x 8 / 1M x 16]  3V SUPPLY FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX29LV160DTXEI-70G Parallel NOR Flash 并行闪存芯片型号介绍：

基本特性

支持字节 / 字模式切换：容量为 2097152×8 位 / 1048576×16 位

扇区架构：1 个 16KB 扇区、2 个 8KB 扇区、1 个 32KB 扇区、31 个 64KB 扇区

具备扇区保护功能，可禁止受保护扇区执行编程、擦除操作

支持芯片解除保护，允许改写内部代码

支持临时扇区解保护，可对已保护扇区进行代码改写

工作电压：读、擦除、编程操作的供电电压范围为 2.7V~3.6V

防闩锁特性：在 - 1V 至 1.5 倍电源电压区间内，可承受最高 100mA 电流

低电压写保护：当电源电压低于锁定阈值（Vcc ≤ Vlko）时，禁止写入

符合 JEDEC 标准：引脚定义与软件指令兼容单电源型闪存

功能与 MX29LV160C 器件完全兼容

性能参数

高性能

快速存取时间：70 纳秒

字编程时长：典型值 11 微秒 / 字

快速擦除时长：典型值 0.7 秒 / 扇区、15 秒 / 整片

低功耗

5MHz 频率下，典型工作读取电流 5 毫安

典型待机电流 5 微安

擦写寿命：典型可重复擦除 / 编程 10 万次

数据保存时长：20 年

软件功能

擦除暂停 / 恢复：可暂停当前扇区擦除操作，对其他未执行擦除的扇区进行读数据或编程操作

状态反馈：通过数据轮询、翻转位检测编程与擦除操作是否完成

支持通用闪存接口（CFI）

硬件功能

就绪 / 忙状态输出引脚（RY/BY#）：通过硬件信号判断编程、擦除操作是否完成

硬件复位输入引脚（RESET#）：可通过硬件方式将内部状态机复位至读取模式

写保护 / 加速编程引脚（WP#/ACC）：支持加速编程功能

封装形式（PACKAGE）

48-Pin TSOP

48-Ball CSP (TFBGA)

48-Ball WFBGA/XFLGA

全系列产品均符合 RoHS 环保标准

MX29LV160DTXEI-70G Parallel NOR Flash 并行闪存芯片介绍：

MX29LV160DT/B 是一款16 兆位闪存，可配置为 2 兆字节 ×8 位模式，或 1 兆字 ×16 位模式。该器件典型工作电压为 2.7V~3.6V，采用 3V 供电。

其存储阵列划分为 32 个大小均等的 64KB 存储块。根据型号分为顶启动型与底启动型，器件最顶端或最底端的独立扇区，即为对应的启动块。

MX29LV160DT/B 提供符合 JEDEC 标准的多种封装：48 引脚 TSOP 封装、48 球 XFLGA/WFBGA 封装以及 48 球 CSP (TFBGA) 封装。产品同时推出有铅与无铅版本，均符合 RoHS 环保规范。器件配套的软件算法也遵循单电源闪存的 JEDEC 标准，支持在系统编程，也可使用市面通用的 EPROM / 闪存烧录器完成烧写。

芯片独立配置输出使能引脚（OE#）与片选引脚（CE#），简化系统设计。该闪存读取访问时间为 70 纳秒，搭配高速处理器使用时，可最大限度降低时序延迟带来的性能损耗。

旺宏闪存内置自动写入算法，执行写入操作前会自动完成擦除。用户仅需向指令寄存器下发写入指令，片内状态机即可自动管控编程、擦除流程及所有内部时序。由于擦除、编程耗时远大于读取操作，芯片支持擦除暂停 / 恢复功能，可中断当前擦除任务，转而读取其他扇区数据。擦除与编程的完成状态，可通过数据轮询或翻转位进行检测。

该产品由旺宏自有晶圆厂生产，采用成熟可靠的自研先进工艺。这款专属非外延工艺具备优异的防闩锁能力：在 - 1V 至 1.5 倍电源电压范围内，地址引脚与数据引脚可承受最高 100mA 的冲击电流。

本闪存功耗低，软硬件功能完善，数据有效保存时长至少可达 20 年；经测试，擦写循环寿命典型值为 10 万次。