MXIC(旺宏电子)MX35LF2GE4AB-MI 3V Serial NAND Flash芯片芯片介绍：
3V, 1Gb/2G-bit Serial NAND Flash Memory MX35LFxGE4AB
1. 特性
1Gb/2Gb SLC NAND 闪存
总线位宽：×4
页面大小：(2048+64) 字节
块大小：(128K+4K) 字节
快速读取访问
支持 ×1、×2、×4 模式随机数据读取（1-1-1、1-1-2、1-1-4）（注 2）
存储阵列到寄存器的延迟：25μs（注 1）
工作频率：104MHz
页面编程操作
页面编程时间：典型值 300μs（注 1）
块擦除操作
块擦除时间：典型值 1ms
单电压供电：
电源电压 VCC：2.7～3.6V
用于块组保护的 BP 位
低功耗特性
工作（读 / 编程 / 擦除）电流：最大 30mA
休眠模式
待机电流：最大 50μA
高可靠性
编程 / 擦除寿命：典型 10 万次周期
（每 (512+16) 字节内置 4 位 ECC 纠错）
数据保存时间：10 年
宽工作温度范围
-40°C ～ +85°C
封装形式：
Z4:8-WSON(8x6mm,E.P= 3.4x4.3mm)
M: 16-SOP (300mil)
所有封装器件均符合 RoHS 标准且无卤素。
MX35LF2GE4AB-MI 3V Serial NAND Flash芯片概述
MX35LF2GE4AB-MI是一款采用串行接口的 1Gb/2Gb SLC NAND 闪存器件。该器件的存储阵列采用与并行 NAND 闪存相同的单元架构，同时兼容业界标准的串行接口。
芯片内置4 位 ECC 纠错逻辑，且默认开启。该内部 ECC 功能可通过指令进行关闭或重新开启。当内部 4 位 ECC 逻辑被关闭时，需由主机端微控制器自行处理 4 位 ECC 纠错。
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