MX25L51245GXDR-08G

MX25L51245G 3V,512M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L51245GXDR-08G Serial NOR Flash芯片特点：

通用特性

支持串行外设接口 - 模式 0 和模式 3

单电源供电工作

读、擦除及编程操作供电电压：2.7V-3.6V

存储结构可选：536,870,912×1 位

或 268,435,456×2 位（双 I/O 模式）

或 134,217,728×4 位（四 I/O 模式）

协议支持

单路 I/O、双路 I/O、四路 I/O

闩锁保护：-1 伏至电源电压 + 1 伏电压范围内，抗 100 毫安闩锁电流

SPI 模式快速读取

全协议支持最高 166 兆赫兹时钟频率

支持快速读取、2 线读取、双线读取、四线读取、四路快速读取指令

支持双倍传输速率（DTR）模式

快速读取操作的虚拟周期数可配置

支持性能增强模式 —— 就地执行（XIP）

配备四路外设接口（QPI）

扇区与块划分：4 千字节等容扇区，及 32 千字节 / 64 千字节等容块

任意块可独立擦除

编程特性

256 字节页缓冲器

四路输入 / 输出页编程（4PP），提升编程性能

典型擦除 / 编程循环次数：100,000 次

数据保存期限：20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节指令码

高级安全特性

块锁定保护

BPO~BP3 及 T/B 状态位定义受保护区域的大小，该区域可抵御编程和擦除指令的操作

高级扇区保护功能（固化保护、密码保护）

额外 4K 位安全一次性可编程存储区

具备唯一标识码

原厂锁定，可识别，且支持客户自行锁定

指令复位

支持编程 / 擦除的挂起与恢复操作

电子识别

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商标识码、2 字节器件标识码

执行 RES 指令，可读取 1 字节器件标识码

执行 REMS 指令，可读取 1 字节制造商标识码 + 1 字节器件标识码

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK 时钟输入

串行时钟输入

SIO0

串行数据输入；或在双线 / 四线读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚

SIO1

串行数据输出；或在双线 / 四线读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚

WP#/SIO2

硬件写保护引脚；或在四线读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚

RESET#/SIO3

硬件复位引脚；或在四线读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚

NC/SIO3

空引脚；或在四线读取模式下作为串行数据输入 / 输出引脚

硬件复位引脚

RESET#

硬件复位引脚

封装规格：

M:16-SOP(300mil)

Z2:8-WSON (8x6mm)

XD: 24-TFBGA(5x5)

全系列产品均符合 RoHS 环保标准，且为无卤素产品

MX25L51245GXDR-08G Serial NOR Flash芯片概述：

MX25L51245G 为 512 兆位串行 NOR 闪存，其内部存储架构默认配置为 67,108,864×8 位；工作于双路或四路 I/O 模式时，存储架构将分别切换为 268,435,456×2 位、134,217,728×4 位。该器件搭载串行外设接口及配套软件协议，在单路 I/O 模式下可通过简易的三线总线实现操作，三线总线包含时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）三路信号，器件的串行访问由片选信号 CS# 低电平使能。

工作于双路 I/O 读取模式时，原 SI 引脚与 SO 引脚将切换为 SIO0、SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入及数据输出；工作于四路 I/O 读取模式时，8 引脚封装的原 SI、SO、WP#、RESET# 引脚（或 NC 引脚）将分别切换为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 引脚，实现地址 / 虚拟位输入与数据输出的复用。

MX25L51245G 搭载旺宏MXSMIO® 串行多 I/O 技术，支持全芯片连续读取操作。器件接收到编程 / 擦除指令后，将自动执行编程 / 擦除算法，完成指定页、扇区 / 块的编程 / 擦除及校验操作。编程操作支持按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除操作支持按 4 千字节扇区、32 千字节块、64 千字节块执行，也可执行整片擦除。

为提升接口使用便捷性，器件内置状态寄存器用于实时指示芯片工作状态，可通过发送状态读取指令，借助忙状态位（WIP）检测编程 / 擦除操作的完成状态。

器件配备高级安全保护特性，大幅强化存储保护与数据安全功能，详细说明请参见安全特性章节。

当器件无操作且片选信号 CS# 为高电平时，将自动进入待机模式。

MX25L51245G 采用旺宏自主研发的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程 / 擦除循环，仍能可靠保存存储数据。