MX25L6436E

产品型号：MX25L6436E

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：64Mb

电压-电源：2.7~3.6V

规格封装：16-pin SOP (300mil);8-WSON (8x6mm) ;8-pin SOP (200mil) ;

说明书：点击下载

其他介绍

64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIOTM (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MX25L6436E, 3V, 64Mb, v2.0产品的相关介绍说明及用途

兼容串行外围接口——模式0和模式3

64Mb:67108864 x 1位结构或33554432 x 2位（两个I/O模式）结构或16777216 x 4位（四个I/

O模式）结构

2048个相等的扇区，每个扇区4K字节

-任何扇区都可以单独擦除

256个相等的块，每个块32K字节

-任何块都可以单独擦除

128个相等的块，每个块64K字节

-任何块都可以单独擦除

电源操作

-2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作

从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

高性能

VCC=2.7~3.6V

-正常读取

-50MHz

-快速读取（普通串行模式）

-1个输入/输出：104MHz，8个虚拟周期

-2个输入/输出：70MHz，8个虚拟周期

-4个输入/输出：75MHz，8个虚拟周期

-快速编程时间：1.4ms（典型值）和5ms（最大值）/页（每页256字节）

-字节编程时间：9us（典型）

-连续编程模式（在字编程模式下自动增加地址）

-快速擦除时间：60ms（典型值）/扇区（每个扇区4K字节）；0.7秒（典型值）/块（每个块64K字节）；50秒（典型值）/芯片

低功耗

-低有效读取电流：104MHz时最大19mA，66MHz时最大15mA，33MHz时最大10mA

-低有效编程电流：25mA（最大）

-低有效擦除电流：25mA（最大）

-低待机电流：50uA（最大）

-深度断电电流：20uA（最大）

典型的100000次擦除/编程周期

20年数据保留

16-pin SOP (300mil) - 8-WSON (8x6mm) - 8-pin SOP (200mil)

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