XM25QU256D 1.8V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR
XM25QU256D SPI NOR FLASH芯片 产品特点:
产品特性
全新 SPI 闪存系列XM25QU256D:256M 比特 / 32M 字节
支持多种接口
标准 SPI:CLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
双路 SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
四路 SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
QPI 模式:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
支持 SPI/QPI DTR(双倍传输速率)读取
高性能串行闪存
166MHz 单线、双路 / 四路 SPI 快速读取
108MHz 标准读取
133MHz DTR 读取
快速读取模式下可配置空指令周期数
可靠性
擦写 / 编程次数:大于 100,000 次
数据保存时间:大于 20 年
高效读取模式
高效 “连续读取” 与 QPI 模式
支持 8/16/32/64 字节环绕连续读取
四路外设接口(QPI)降低指令开销
支持真正的 XIP(片内执行)操作
高性能编程 / 擦除速度
页编程时间:典型值 0.25 ms
扇区擦除时间:典型值 25 ms
32KB 块擦除时间:典型值 80 ms
64KB 块擦除时间:典型值 120 ms
整片擦除时间:典型值 40 秒
单电源供电
工作电压范围:1.65V–2.0V
低功耗特性
待机电流:典型值 15 μA
深度掉电电流:典型值 1 μA
读取工作电流:典型值 6 mA(80MHz 四路 I/O)
灵活架构
统一扇区 / 块擦除(4KB/32KB/64KB)
每可编程页支持 1~256 字节编程
支持擦除 / 编程挂起与恢复
高级安全特性
软件及硬件写保护
电源锁定与 OTP 保护
支持存储阵列顶部 / 底部、取反区域保护
每颗器件具备 128 位唯一 ID
支持串行闪存可发现参数(SFDP)标识
3 个 2048 字节安全寄存器,带 OTP 锁定功能
支持 volatile 与非易失性状态寄存器位
封装:
K: SOP16L 300mil;
X: WSON 6x8 8L;
B2: TFBGA 6x8 24ball (5*5 ball array);
XM25QU256D SPI NOR FLASH芯片产品说明:
XM25QU256D(256M位)SPI NOR FLASH 芯片是一种串行接口闪存设备,设计用于单电源运行电源电压为1.65-2.0V,在深度断电时电流消耗低至0.2μA,其中程序代码从闪存中隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。灵活的擦除架构该设备的页面擦除粒度也非常适合数据存储,无需额外数据存储设备。
设备中配置了131072个可编程页面(每个页面256字节),最多可以配置256字节一次编程。16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)允许擦除页面。该设备有8192个可擦除扇区和512个可擦除块。4KB的小扇区为应用程序提供了更大的灵活性需要存储数据和参数。
该设备支持标准串行外围接口(SPI)、双/四I/O SPI以及2块指令循环四外设接口(QPI),包括串行时钟、芯片选择、串行数据I/O(SI)、I/O 1(SO)、I/O 2(WP)和IO(/HOLD)。它还支持高达166MHz的SPI时钟频率,允许等效时钟运行快速读取双/四输入/输出和QPI时,双输入/输出的速率为332MHz,四输入/输入的速率为664MHz说明。该设备还增加了对DTR(双倍传输速率)指令的支持,这可能会超过传输速率标准异步8位和16位并行闪存的速率。只需8个字节即可读取24位地址-连续读取模式实现了高效的内存访问,允许真正的XIP(就地执行)操作。
此外,还有一个保持引脚、写保护引脚和顶部或底部的可编程写保护array_control以提供更大的控制灵活性。此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID以及SFDP寄存器、128位唯一序列号和三个2048字节的安全性登记簿。
相关型号:XM25QU256DXIQT;XM25QU256DKIQT;
