XM25QH256D

XM25QH256D 3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XMC(武汉芯新)XM25QH256D SPI Nor Flash芯片特点：

SPI 闪存存储器新系列

– XM25QH256D：256 兆位 / 32 兆字节

– 标准 SPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、串行输入（SI）、串行输出（SO）、写保护（/WP）、保持（/Hold）

– 双线 SPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、写保护（/WP）、保持（/Hold）

– 四线 SPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、输入输出 2（IO2）、输入输出 3（IO3）

– QPI：时钟（CLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、输入输出 2（IO2）、输入输出 3（IO3）

– SPI/QPI 双倍传输速率（DTR）读取

高性能串行闪存

– 166MHz 单线、双线 / 四线 SPI 快速读取

– 108MHz 常规读取

– 108MHz DTR 读取

– 可配置快速读取操作的虚拟周期数

– 超过 100,000 次擦除 / 编程循环

– 超过 20 年数据保留期

高效的 “连续读取” 和 QPI 模式

– 支持 8/16/32/64 字节环绕的连续读取

– 四线外设接口（QPI）减少指令开销

– 支持真正的就地执行（XIP）操作

高性能编程 / 擦除速度

– 页面编程时间：典型值 0.25 毫秒

– 扇区擦除时间：典型值 25 毫秒

– 32KB 块擦除时间：典型值 80 毫秒

– 64KB 块擦除时间：典型值 120 毫秒

– 整片擦除时间：典型值 40 秒

单电源电压

– 全电压范围：2.3-3.6V

低功耗

– 典型待机电流 12μA

– 典型深度掉电电流 0.5μA

– 典型 active 读取电流 6mA（80MHz 四线输入输出）

灵活的架构

– 统一扇区 / 块擦除（4K/32K/64K 字节）

– 每个可编程页面可编程 1 至 256 字节

– 擦除 / 编程暂停与恢复

高级安全特性

– 软件和硬件写保护

– 电源锁定和一次性可编程（OTP）保护

– 顶部 / 底部、互补阵列保护

– 每颗器件配备 128 位唯一标识符

– 支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

– 3 个 2048 字节安全寄存器，带 OTP 锁定功能

– 易失性和非易失性状态寄存器位

封装规格：

SOP 300mil 16L；

WSON 6x8 8L ；

WSON 5x6 8L；

TFBGA 6x8 24ball

XM25QH256D SPI Nor Flash芯片一般说明

XM25QH256D（256 兆位）是一款串行接口闪存器件，设计为采用 2.3-3.6V 单电源供电，深度掉电模式下电流消耗低至 0.2µA。在此模式中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。该器件具备灵活的擦除架构，其页擦除粒度同样适用于数据存储，无需额外的数据存储器件。

该器件包含 131,072 个可编程页面（每个 256 字节），一次最多可对 256 字节进行编程。可按 16 个页面为一组（4KB 扇区擦除）、128 个页面为一组（32KB 块擦除）、256 个页面为一组（64KB 块擦除）或对整个芯片（整片擦除）进行擦除操作。该器件分别有 8,192 个可擦除扇区和 512 个可擦除块。4KB 的小扇区为需要存储数据和参数的应用提供了更高的灵活性。

该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双线 / 四线 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期的四线外设接口（QPI），包括串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和 I/O3（/HOLD）。它还支持高达 166MHz 的 SPI 时钟频率，在运行快速读取双线 / 四线 I/O 和 QPI 指令时，双线 I/O 对应的等效时钟速率可达 332MHz，四线 I/O 可达 664MHz。该器件还新增了对 DTR（双倍传输速率）指令的支持，其传输速率可超过标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式仅需 8 个时钟的指令开销即可读取 24 位地址，实现了高效的存储器访问，支持真正的 XIP（就地执行）操作。

此外，该器件配备了保持引脚、写保护引脚以及带有顶部或底部阵列控制的可编程写保护功能，以提供更高的控制灵活性。同时，该器件支持 JEDEC 标准的制造商和器件 ID、SFDP 寄存器、128 位唯一序列号以及三个 2048 字节的安全寄存器。