XM25EH256D

产品型号：XM25EH256D

制造商：XMC(武汉芯新)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：256Mbit

电压-电源：2.3V–3.6V

规格封装：SOP 300mil 16L; WSON 8x6mm 8L;TFBGA 6x8 24ball (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

XMC(武汉芯新)XM25EH256D SPI Nor Flash芯片特点：

256 兆位串行闪存

– 32 兆字节

– 每个可编程页面 256 字节

标准、双线、四线 SPI，QPI，DTR

– 标准 SPI：串行时钟（SCLK）、片选（/CS）、串行输入（SI）、串行输出（SO）

– 双线 SPI：串行时钟（SCLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）

– 四线 SPI：串行时钟（SCLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、输入输出 2（IO2）、输入输出 3（IO3）

– QPI：串行时钟（SCLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、输入输出 2（IO2）、输入输出 3（IO3）

– SPI DTR（双倍传输速率）读取

– 3 字节或 4 字节地址模式

高速时钟频率

– 快速读取时为 166MHz

– 双线输入输出数据传输速率高达 332 兆位 / 秒

– 四线输入输出数据传输速率高达 664 兆位 / 秒

– QPI 模式数据传输速率高达 664 兆位 / 秒

– 带数据选通信号（DQS）的 DTR 四线输入输出数据传输速率高达 864 兆位 / 秒

软件写保护

– 通过软件对全部或部分存储器进行写保护

– 顶部 / 底部块保护

耐久性和数据保留

– 最少 100,000 次编程 / 擦除循环

– 典型数据保留时间 20 年

– 片内纠错码（每 16 字节可实现 1 位纠错 / 2 位检错）*

支持 XIP（就地执行）操作

– 高速读取减少整体 XIP 指令获取时间

– 带环绕功能的连续读取进一步减少数据延迟，以填充系统级芯片（SoC）缓存

快速编程 / 擦除速度

– 页面编程时间：典型值 0.25 毫秒

– 扇区擦除时间：典型值 25 毫秒

– 块擦除时间：典型值 120 毫秒

– 整片擦除时间：典型值 40 秒

灵活的架构

– 4KB 统一扇区

– 32KB/64KB 统一块

低功耗

– 典型待机电流 12μA

– 典型深度掉电电流 0.5μA

高级安全特性

– 每颗器件配备 128 位唯一标识符

– 串行闪存可发现参数寄存器

– 3 个 2048 字节安全寄存器，带一次性可编程（OTP）锁定功能

单电源电压

– 全电压范围：2.3V–3.6V

封装规格：

–SOP 300mil 16L

–WSON 8x6mm 8L

–TFBGA 6x8mm 24ball (5x5 ball array)

XM25EH256D SPI Nor Flash芯片一般说明

XM25EU256D（256M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）双/四SPI和DTR模式：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（SI）、I/O 1（SO）、I/O 2、I/O 3。双重I/O数据以332Mbit/s的速度传输，四路I/O数据以664Mbit/s速度传输。DTR Quad I/O数据以200 MBytes/s的速度传输。

XM25EH256D引脚图.png