XM25EU256D

产品型号：XM25EU256D

制造商：XMC(武汉芯新)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：256Mbit

电压-电源：1.65V-2.0V

规格封装：–SOP 300mil 16L –WSON 8x6mm 8L –TFBGA 6x8mm 24ball (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

XMC(武汉芯新)XM25EU256D SPI Nor Flash芯片特点：

256M位串行闪存

–32M字节

–每个可编程页面256字节

标准、双路、四路SPI、QPI、DTR

–标准SPI：SCLK、/CS、SI、SO

–双SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1

–四路SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

–QPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

SPI DTR（双倍传输速率）读取

–3或4字节地址模式

高速时钟频率

–200MHz用于快速读取

–双I/O数据传输高达332Mbits/s

–四路I/O数据传输速度高达664Mbit/s

–QPI模式数据传输高达664Mbit/s

–带DQS的DTR四路I/O数据传输速度高达200MBytes/s

 软件写保护

–通过软件对全部/部分内存进行写保护

–顶部/底部块保护

耐久性和数据保留

–最少100000个程序/擦除周期

–典型数据保留期为20年

-片上ECC（每16Byte 1位校正/2位检测）*

–CRC检测原始数据的意外更改

允许XIP（就地执行）操作

–高速读取减少了XIP指令的整体读取

时间

–用Wrap继续阅读

减少数据延迟以填满SoC缓存

快速编程/擦除速度

–页面编程时间：典型值为0.25ms

–扇区擦除时间：典型值为25ms

–块擦除时间：典型120ms

芯片擦除时间：通常为40秒

灵活的体系结构

–4KByte的统一扇区

–32/64KByte的统一块

低功耗

–15μA典型待机电流

–1μA典型深度断电电流

高级安全功能

–每个设备的128位唯一ID

–串行闪存可发现参数注册

–3x2048Byte带OTP的安全寄存器锁定

单电源电压

–全电压范围：1.65-2.0V

封装规格：

–SOP 300mil 16L

–WSON 8x6mm 8L

–TFBGA 6x8mm 24ball (5x5 ball array)

XM25EU256D SPI Nor Flash芯片一般说明

XM25EU256D（256M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）双/四SPI和DTR模式：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（SI）、I/O 1（SO）、I/O 2、I/O 3。双重I/O数据以332Mbit/s的速度传输，四路I/O数据以664Mbit/s速度传输。DTR Quad I/O数据以200 MBytes/s的速度传输。

XM25EU256D引脚图.png