XM25EU512D

产品型号：XM25EU512D

制造商：XMC(武汉芯新)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：1.65V-2.0V

规格封装：–SOP 300mil 16L –WSON 8x6mm 8L –TFBGA 6x8 24ball (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

XMC(武汉芯新)XM25EU512D SPI Nor Flash芯片特点：

512M位串行闪存

–64M字节

–每个可编程页面256字节

标准、双路、四路SPI、QPI、DTR

–标准SPI：CLK、/CS、SI、SO

–双SPI：CLK、/CS、IO0、IO1

–四路SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

–QPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

SPI DTR（双倍传输速率）读取

–3或4字节地址模式

高速时钟频率

–166 MHz用于快速读取

–双I/O数据传输高达332 Mbits/s

–四路I/O数据传输高达664 Mbits/s

–QPI模式数据传输高达664 Mbits/s

–DTR四路I/O数据传输速度高达200 MByte/s

DQS

软件写保护

–通过软件对全部/部分内存进行写保护

–顶部/底部块保护

耐久性和数据保留

–最少100000个程序/擦除周期

–典型数据保留期为20年

-片上ECC（1位校正/2位检测）

16字节）*

–CRC检测原始数据的意外更改

允许XIP（就地执行）操作

–高速读取减少了整个XIP指令

提取时间

–使用Wrap进行连续读取，进一步减少数据

填充SoC缓存的延迟

快速编程/擦除速度

–页面编程时间：典型值为0.25毫秒

–扇区擦除时间：典型值为25毫秒

–块擦除时间：典型值为120毫秒

–芯片擦除时间：典型60秒

灵活的体系结构

–4KByte的统一扇区

–32/64KByte的统一块

低功耗

–15μA典型待机电流

–1μA典型深度断电电流

高级安全功能

–每个设备的128位唯一ID

–串行闪存可发现参数寄存器

–3x2048Byte带OTP锁的安全寄存器

单电源电压

–全电压范围：1.65-2.0V

封装规格：

–SOP 300mil 16L

–WSON 8x6mm 8L

–TFBGA 6x8 24ball (5x5 ball array)

XM25EU512D SPI Nor Flash一般说明

XM25EU512D（512M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）双/四SPI和DTR模式：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（SI）、I/O 1（SO）、I/O 2、I/O 3。双重I/O数据以332 Mbit/s的速度传输，四路I/O数据以664 Mbit/s速度传输。DTR Quad I/O数据以200 MByte/s的速度传输。

XM25EU512D引脚图.png