XM25EH512D

产品型号：XM25EH512D

制造商：XMC(武汉芯新)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：2.3V~3.6V

规格封装：- WSON8 (8x6mm) 8L - SOP 300mil 16L - TFBGA 6x8 24ball (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

XMC(武汉芯新) XM25EH512D芯片特点：

512M位串行闪存

-64M字节

-每个可编程页面256字节

标准、双路、四路SPI、QPI、DTR

-标准SPI：SCLK、/CS、SI、SO

-双SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1

-四路SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

-QPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

-SPI DTR（双倍传输速率）读取

-3或4字节地址模式

高速时钟频率

-166MHz用于快速读取

-双I/O数据传输高达332Mbits/s

-四路I/O数据传输速度高达664Mbit/s

-QPI模式数据传输高达664Mbit/s

-带DQS的DTR四路I/O数据传输速度高达864Mbits/s

软件写保护

-通过软件对全部/部分内存进行写保护

-顶部/底部块保护

耐久性和数据保留

-最少100000个编程/擦除周期

-典型数据保留期为20年

-片上ECC（每16位1位校正/2位检测-字节）*

允许XIP（就地执行）操作

-高速读取减少了整个XIP指令提取时间

-使用Wrap进行连续读取可进一步减少数据

填充SoC缓存的延迟

快速编程/擦除速度

-页面编程时间：典型值为0.25毫秒

-扇区擦除时间：典型值为80毫秒

-块擦除时间：典型值为120毫秒

-芯片擦除时间：典型值为45秒

灵活的体系结构

-4K字节的统一扇区

-32/64K字节的统一块低功耗

-25μA典型待机电流

-1μA典型深度断电电流

高级安全功能

-每个设备的128位唯一ID

-串行闪存可发现参数寄存器

-3x2048字节带OTP锁的安全寄存器

单电源电压

-全电压范围：2.3-3.6V

封装规格：

- WSON8 (8x6mm) 8L

- SOP 300mil 16L

- TFBGA 6x8 24ball (5x5 ball array)

XM25EH512D芯片一般说明

XM25EH512D（512M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），以及双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（SI）、I/O 1（SO）、I/O 2、I/O 3。双重I/O数据以332Mbit/s的速度传输，四路I/O数据以

664Mbit/s。DTR四路I/O数据以864Mbit/s的速度传输。

XM25EH512D引脚图.png

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