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PTD88N07
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
- 温控范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 存储容量：产品价格：具体面议
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PTY80N06
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
- 温控范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 存储容量：产品价格：具体面议
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PTP80N06
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
- 温控范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 存储容量：产品价格：具体面议
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F59D2G81KA-45BCG2N
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V ~ 1.95V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：2Gbit 产品价格：具体面议
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F59D2G81KA-45BG2N
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V ~ 1.95V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：2Gbit 产品价格：具体面议
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F59D2G81KA-45TG2N
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V ~ 1.95V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：2Gbit 产品价格：具体面议
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F59L4G81KSA-25BCIG2N
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V ~ 1.95V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：4 Gbit 产品价格：具体面议
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F59D4G81KA-45BG2R
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V ~ 1.95V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：4 Gbit 产品价格：具体面议
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F59D4G81KA-45TG2R
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V ~ 1.95V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：4 Gbit 产品价格：具体面议
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F59L4G81KA-25BCG2R
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
- 温控范围：0°C~+55°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：4 Gbit 产品价格：具体面议
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