F59D2G81XA-45TG2B

产品型号：F59D2G81XA-45TG2B

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：1.7V～1.95V

规格封装：48 pin TSOPI

说明书：点击下载

产品介绍

F59D2G81XA(2B) 2 Gbit (256M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技) F59D2G81XA-45TG2B SLC NAND Flash存储芯片特点：

供电电压：1.8V（1.7V～1.95V）

符合开放式 NAND 闪存接口（ONFI）1.0 标准

采用单层单元（SLC）技术

存储结构

页大小：2176 字节（2048 + 128 字节）

块大小：64 页（128K + 8K 字节）

平面大小：2 个平面，每平面 1024 个块

器件总容量：2048 个块

异步 I/O 性能

读周期 / 写周期时间（tRC/tWC）：30ns

阵列操作性能

页读取：30μs

页编程：典型值 200μs

块擦除：典型值 2ms

命令集：遵循 ONFI NAND 闪存协议

高级命令集

页编程缓存模式

页读取缓存模式

一次性可编程（OTP）模式

可编程驱动强度

双平面命令（仅在关闭 ECC 时可用）

读取唯一 ID

内部数据搬移

操作状态字节（软件方式）

可检测：

操作完成状态

操作成功 / 失败状态

写保护状态

就绪 / 忙信号（R/B#）（硬件方式）

用于检测操作完成

WP#：对整个器件进行写保护

出厂时块 0 带 ECC 校验有效。

最小所需 ECC 要求参见错误管理相关说明。

上电后第一条命令必须为复位命令（FFh）

支持在读取数据所在平面内执行内部数据搬移操作

质量与可靠性

数据保存：符合 JESD47G 标准

擦写寿命：100,000 次编程 / 擦除周期

额外特性：未循环数据保存时间：10 年

工作温度

商用级：0℃～+70℃

F59D2G81XA-45TG2B SLC NAND Flash存储芯片说明：

NAND闪存器件包含用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。这类器件采用高度复用的8位总线（I/Ox）来传输命令、地址和数据。实现异步数据接口共使用5个控制信号：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。另有额外信号用于硬件写保护控制以及器件状态监测（R/B#）。

该硬件接口使器件引脚数量较少，并采用标准引脚排布，且不同存储密度的器件引脚定义保持一致，便于后续升级至更高密度时无需重新设计电路板。

Target（目标单元）是由芯片使能信号访问的内存单元，一个目标单元包含一个或多个NAND闪存裸片（Die）。NAND闪存裸片是可独立执行命令并反馈状态的最小单元，在ONFI规范中，该裸片被称为逻辑单元（LUN）。每个芯片使能信号至少对应一个NAND闪存裸片。更多细节请参见《器件与阵列结构》章节。

F59D2G81XA-45TG2B引脚图

F59D2G81XA-45TG2B功能框图

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