F59L2G81XA-25TG2B

产品型号：F59L2G81XA-25TG2B

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：48 pin TSOPI

说明书：点击下载

产品介绍

F59L2G81XA (2B) 2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技) F59L2G81XA-25TG2B SLC NAND Flash存储芯片特点：

工作电压：3.3V（2.7V～3.6V）

兼容开放式 NAND 闪存接口（ONFI）1.0 标准 ¹

采用单级存储单元（SLC）技术

结构配置

页面大小：2176 字节（2048 + 128 字节）

块大小：64 页（128K + 8K 字节）

平面大小：2 个平面 × 每平面 1024 个块

器件容量：2048 个块

异步 I/O 性能

读周期 / 写周期时间（tRC/tWC）：25ns

阵列操作性能

页面读取：25μs

页面编程：典型值 200μs

块擦除：典型值 2ms

命令集：遵循 ONFI NAND Flash 协议

高级命令集

页面编程缓存模式

页面读取缓存模式

块永久锁定（块地址 47:0）

一次性可编程（OTP）模式

可编程驱动强度

双平面命令（仅在关闭 ECC 时可用）

读取唯一 ID

块锁定

内部数据搬移

操作状态字节（软件检测）

操作完成状态

操作成功 / 失败状态

写保护状态

就绪 / 忙信号（R/B#）：硬件方式检测操作完成

WP#：对整个器件进行写保护

出厂时块 0 有效并带 ECC；最小所需 ECC 参见错误管理相关说明

上电后第一条命令必须为复位命令（RESET，FFh）

支持在读取数据所在平面内执行内部数据搬移操作

质量与可靠性

数据保存：符合 JESD47G 标准

擦写寿命：100,000 次编程 / 擦除周期

未擦写数据保存时间：10 年

工作温度

商用级：0℃～+70℃

F59L2G81XA-25TG2B SLC NAND Flash存储芯片说明：

NAND Flash 器件配备异步数据接口，可实现高性能 I/O 操作。此类器件采用高度复用的 8 位总线（I/Ox）传输命令、地址与数据。异步数据接口由 5 路控制信号实现：CE#、CLE、ALE、WE# 与 RE#。另有额外信号用于硬件写保护控制及器件状态监测（R/B#）。

该硬件接口使器件引脚数量少，并采用标准引脚排布，不同容量芯片引脚定义完全兼容，便于后续升级至更高容量时无需重新设计电路板。

Target（目标单元）是由片选信号访问的最小存储单元，包含一个或多个 NAND Flash 裸片（Die）。NAND Flash 裸片是可独立执行命令、反馈状态的最小单元，在 ONFI 规范中被称为逻辑单元（LUN）。每个片选信号至少对应一个 NAND Flash 裸片。详细说明请参考器件与阵列组织结构。

F59L2G81XA-25TG2B引脚图