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产品中心
  • PT4606
    • 制造商:HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源:
    • 温控范围:-55°C to150 °C 用途: 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量: 产品价格:具体面议
  • PT4606A
    • 制造商:HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源:
    • 温控范围:-55°C to150 °C 用途: 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量: 产品价格:具体面议
  • F59L2G81KA-25BCG2N
    • 制造商:ESMT(晶豪科技) 电压-电源:2.7V~3.6V
    • 温控范围:0°C~+70°C 用途: 快闪记忆体
    • 存储容量:2Gbit 产品价格:具体面议
  • F59L2G81KA-25BG2N
    • 制造商:ESMT(晶豪科技) 电压-电源:2.7V~3.6V
    • 温控范围:0°C~+70°C 用途: 快闪记忆体
    • 存储容量:2Gbit 产品价格:具体面议
  • F59L2G81KA-25TG2N
    • 制造商:ESMT(晶豪科技) 电压-电源:2.7V~3.6V
    • 温控范围:0°C~+70°C 用途: 快闪记忆体
    • 存储容量:2Gbit 产品价格:具体面议
  • LK5801
    • 制造商:LANKERSEMI(兰科) 电压-电源:0V-50V
    • 温控范围:-20°C~+85°C 用途: 达林顿驱动
    • 存储容量: 产品价格:具体面议
  • LK1801
    • 制造商:LANKERSEMI(兰科) 电压-电源:0-50V
    • 温控范围:-40°C~+85°C 用途: 达林顿驱动
    • 存储容量: 产品价格:具体面议
  • F59D2G81XA-45BG2B
    • 制造商:ESMT(晶豪科技) 电压-电源:1.7V~1.95V
    • 温控范围:0°C~+70°C 用途: 快闪记忆体
    • 存储容量:2Gbit 产品价格:具体面议
  • F59D2G81XA-45TG2B
    • 制造商:ESMT(晶豪科技) 电压-电源:1.7V~1.95V
    • 温控范围:0°C~+70°C 用途: 快闪记忆体
    • 存储容量:2Gbit 产品价格:具体面议
  • LK5802
    • 制造商:LANKERSEMI(兰科) 电压-电源:0-50V
    • 温控范围:-20°C~+85°C 用途: 达林顿驱动
    • 存储容量: 产品价格:具体面议

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