ME25L40EM1IG

产品型号：ME25L40EM1IG

制造商：MengXW(台湾盟鑫微)

价格：

温控范围：-40°C~85°℃

用途：快闪记忆体

存储容量：4Mbit

电压-电源：2.7~3.6V

规格封装：SOP8 150mil

说明书：点击下载

产品介绍

ME25L40A 4兆比特串行闪存芯片，采用 4KB 统一扇区架构

MengXW(台湾盟鑫微)ME25L40EM1IG 特点：

● 单电源供电工作

完整工作电压区间：2.3V～3.6V

● 串行接口架构

兼容 SPI 通信协议：支持 SPI 模式 0、模式 3

● 4 兆比特串行闪存

容量：4Mb / 512KB / 2048 页

单页可编程写入容量：256 字节

● 支持标准单线 SPI、双线 SPI 两种模式

标准单线 SPI 引脚：时钟 CLK、片选 CS#、数据输入 DI、数据输出 DO、写保护 WP#

双线 SPI 引脚：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#

● 高性能传输速率

单线 SPI 最高时钟：104MHz

双线双通道传输时钟：104MHz

● 低功耗特性

工作电流典型值：5mA

掉电休眠电流典型值：1μA

● 统一扇区存储架构

总计 128 个扇区，单个扇区 4KB

总计 16 个 32KB 存储块

总计 8 个 64KB 存储块

支持任意扇区、存储块独立擦除

● 软硬件双重写保护功能

可通过软件配置，对整片闪存或局部存储区域设置写保护

可借助 WP# 硬件引脚开启、关闭写保护

● 高速编程与擦除耗时（典型值）

页编程：0.6ms

扇区擦除：50ms

32KB 区块擦除：150ms

64KB 区块擦除：300ms

整片芯片全盘擦除：2.5 秒

● 擦写耐久寿命：最少 10 万次擦写循环

● 断电数据保存年限：20 年

可选封装

8 引脚 SOP 封装，本体宽度 150mil

全系无铅封装均符合 RoHS 指令、无卤素标准、欧盟 REACH 法规要求

● 工业级工作温度范围

本器件为 4 兆比特（512 千字节）串行闪存芯片，搭载增强型写保护机制。芯片兼容标准串行外设接口（SPI），同时支持高性能双线输出模式。

芯片最高支持 104MHz SPI 时钟频率；启用双线输出高速读取时，等效传输时钟可达 208MHz（104MHz×2）。可通过页编程指令，单次写入 1~256 字节数据。

芯片支持单扇区、单存储块独立擦除，也可执行整片芯片全盘擦除；可通过软件配置存储区域，开启软件写保护模式。芯片每一个扇区与存储块均可承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。

ME25L40EM1IG

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