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ME25L16AM1IG

ME25L16AM1IG
产品型号:ME25L16AM1IG
制造商:MengXW(台湾盟鑫微)
价格:
温控范围:-40°C~85°℃
用途:快闪记忆体
存储容量 :16Mbit
电压-电源:2.3~3.6V
规格封装:SOP8 150mil
说明书:点击下载
产品介绍

ME25L16A 16兆比特、3V 供电串行闪存,4KB 统一扇区架构

MengXW(台湾盟鑫微)ME25L16AM1IG功能介绍:

● 单电源供电工作

  完整工作电压范围:2.3V~3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 总线协议:支持模式 0、模式 3

16 兆比特串行闪存

容量:16Mb / 2048KB / 8192 页

每页可编程写入容量:256 字节

● 支持标准单线、双线、四线 SPI 通讯

标准单线 SPI 引脚:时钟 CLK、片选 CS#、数据输入 DI、数据输出 DO、写保护 WP#、保持引脚 HOLD#

双线 SPI 引脚:CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#

四线 SPI 引脚:CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

可自定义配置虚拟等待时钟周期数

● 高性能传输

单线 SPI 最高时钟频率:104MHz

双线双通道传输时钟:104MHz

四线四通道传输时钟:104MHz

低功耗特性

工作电流典型值:10mA

掉电休眠电流典型值:1μA(原文 1A 为书写错误,闪存休眠电流均为微安级)

统一扇区存储架构

共计 512 个扇区,单个扇区大小 4KB

共计 64 个存储块,单块 32KB

共计 32 个存储块,单块 64KB

任意扇区、存储块均可独立擦除

● 软硬件双重写保护功能

可通过软件设置,对整片闪存或者局部存储空间开启写保护

可通过 WP# 硬件引脚开启或关闭写保护

● 高速编程、擦除速率(典型耗时)

页编程:1ms

扇区擦除:100ms

半块擦除:300ms

整块擦除:500ms

整片芯片擦除:15 秒

● 支持写入暂停、写入恢复功能

内置易失性状态寄存器位

● 3 组 1024 字节可锁定一次性可编程(OTP)安全扇区

● 兼容 SFDP 串行闪存可识别参数标准协议

● 可读取芯片唯一序列号(UID)

● 擦写耐久寿命:不少于 10 万次循环

● 断电数据保存年限:20 年

可选封装形式

8 引脚 SOP 封装,本体宽度 150mil

8 引脚 SOP 封装,本体宽度 200mil

所有无铅封装均符合 RoHS 指令、无卤素规范以及欧盟 REACH 法规

● 工业级工作温度范围

ME25L16AM1IG是一款 16 兆比特(2048 千字节)串行闪存芯片,搭载先进的写保护机制。

芯片依托标准串行外设接口(SPI)引脚,支持单线、四线串行读写指令;所用引脚包括:串行时钟引脚、片选引脚、双向数据引脚 DQ0(原数据输入 DI)、DQ1(原数据输出 DO)、DQ2(复用写保护引脚 WP#)以及 DQ3(复用保持引脚 HOLD#)。通过页编程指令,可单次对 1~256 字节存储空间执行写入编程操作。

芯片配备完善的区块防护方案,能够防止各个存储区块因误操作或恶意篡改发生非法编程、擦除动作。得益于存储区块可独立开启与解除写保护的特性,系统可单独解除指定区块的保护状态以修改内部数据,闪存阵列其余存储空间仍处于安全锁定状态。该特性适用于两类场景:一是按照子程序、功能模块对固件程序分模块打补丁、迭代升级;二是需要修改数据存储分区,同时规避程序代码分区被意外篡改的各类设备应用。

芯片支持单扇区 / 单存储块独立擦除,也可执行整片芯片全盘擦除;可通过配置软件保护模式,划定部分存储区域受保护锁定。芯片每一个扇区、存储块均可承受至少 10 万次编程擦除循环。

ME25L16AM1IG

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