MX30UF2G28AD-XKI

1.8V, 1G/2G/4G-bit NAND Flash Memory MX30UFxG28AD

MXIC(旺宏电子)MX30UF2G28AD-XKI 1.8V SLC NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

1. 特性

・1Gb（千兆位）/2Gb（千兆位）/4Gb（千兆位）SLC NAND 闪存

总线宽度：x8

页大小：

1Gb/2Gb 版本：(2048+128) 字节

4Gb 版本：(4096+256) 字节

块大小：

1Gb/2Gb 版本：(128K+8K) 字节（注：128K=131072 字节，8K=8192 字节）

4Gb 版本：(256K+16K) 字节（注：256K=262144 字节，16K=16384 字节）

平面大小：

1Gb 版本：1 个平面，每个平面 1024 个块

2Gb/4Gb 版本：2 个平面，每个平面 1024 个块

・兼容 ONFI 1.0 标准（ONFI：开放式 NAND 闪存接口，Open NAND Flash Interface）

・命令 / 地址 / 数据复用（命令、地址与数据通过同一总线传输）

・用户冗余区

1Gb/2Gb 版本：每一页附加 128 字节（用于错误检查与纠正、坏块标记等）

4Gb 版本：每一页附加 256 字节（用于错误检查与纠正、坏块标记等）

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

连续读取速度：25 纳秒（ns）每字节

・支持缓存读取（Cache Read）

・页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）

・支持缓存编程（Cache Program）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：1.7~1.95 伏（V）

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除模式）最大值：30 毫安（mA）

・待机模式

待机电流最大值：50 微安（μA）

・深度掉电模式

电流最大值：15 微安（μA）

・硬件数据保护：写保护（WP#）引脚

・出厂时 0~7 号块已通过错误检查与纠正（ECC）验证，可正常使用

・块保护功能

保护（PT）引脚：上电时为高电平有效，可保护整个芯片；该引脚内置弱下拉电阻

临时保护 / 解除保护功能（通过 PT 引脚启用）

永久保护功能（通过 PT 引脚启用）

・器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚

状态寄存器

・片选无关（Chip Enable Don't Care）

简化系统接口设计

・支持读取唯一标识符（符合 ONFI 标准），具备类物理不可克隆函数（PUF-like）的编码结构（注：PUF 可生成芯片唯一的 “数字指纹”，用于身份认证与安全加密）

・支持安全一次性可编程（Secure OTP）功能（注：OTP 区域数据写入后不可修改，常用于存储加密密钥、设备序列号等）

・高可靠性

随机数发生器（默认禁用）：可通过 “设置特性”（Set Feature）命令启用（注：用于数据加密、随机地址生成等场景，提升数据安全性）

数据恢复专用读取功能：可通过 “设置特性”（Set Feature）命令启用（注：用于读取受损或错误数据，提升数据恢复能力）

耐用性：典型值 6 万次编程 / 擦除（P/E）周期（每 (512+32) 字节数据配备 8 位错误检查与纠正（ECC）的情况下）

数据保留期：10 年（注：详见下方注释）

・宽温度工作范围

数据保留期：10 年

宽温工作范围：-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX30UF2G28AD-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片介绍：

MX30UFxG28AD 是一款容量为 1Gb（千兆位）/2Gb/4Gb 的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。该器件具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有可靠的质量 —— 典型编程 / 擦除（P/E）周期可达 6 万次（需配合主机端 ECC 纠错功能），因此非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储。

该产品系列要求每（512+32）字节数据配备 8 位 ECC（错误检查与纠正）。

在读取和编程操作中，访问 MX30UFxG28AD 时通常以页为单位：1Gb/2Gb 容量版本的页大小为 2176 字节，4Gb 容量版本的页大小为 4352 字节。

MX30UFxG28AD 的存储阵列由数千个块（Block）构成，不同容量版本的块结构存在差异：

1Gb/2Gb 版本：每个块由 64 个（2048+128）字节的页组成

4Gb 版本：每个块由 64 个（4096+256）字节的页组成

每个页均包含额外空间用于 ECC 纠错及其他用途，其中 1Gb/2Gb 版本额外空间为 128 字节，4Gb 版本为 256 字节。该器件内置片上缓冲区，缓冲区容量与页大小一致（1Gb/2Gb 版本为 2176 字节，4Gb 版本为 4352 字节），用于数据加载与访问。

MX30UFxG28AD 的缓存读取（Cache Read）操作支持首字节读取访问延迟低至 25 微秒（μs），连续读取速度可达 25 纳秒（ns）每字节；且后续连续页的读取延迟会从常规读取延迟（tR）缩短至缓存忙状态延迟（tRCBSY）。

MX30UFxG28AD 在所有工作模式（读取 / 编程 / 擦除）下的功耗均为 30 毫安（mA），在待机模式下的功耗为 50 微安（μA）。